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Si4团簇电子输运性质的第一性原理计算

柳福提 程艳 羊富彬 程晓洪 陈向荣

Si4团簇电子输运性质的第一性原理计算

柳福提, 程艳, 羊富彬, 程晓洪, 陈向荣
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-01-29
  • 修回日期:  2013-03-28
  • 刊出日期:  2013-07-05

Si4团簇电子输运性质的第一性原理计算

  • 1. 宜宾学院物理与电子工程学院, 宜宾 644000;
  • 2. 四川大学物理科学与技术学院, 成都 610065
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 11174214, 11204192)和 四川省教育厅科研基金项目(批准号: 13ZB0207)资助的课题.

摘要: 采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法对Si4 团簇与Au(100)电极空位相连的纳米结点的电子输运性质进行了理论模拟计算, 得到了纳米结点在不同距离下的几何结构、电子结构、电导、透射谱、电荷转移量; 讨论了当距离dz=12.004 Å时纳米结点的电导、电流随电压的变化关系.

English Abstract

参考文献 (26)

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