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串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性

张兴尧 郭旗 陆妩 张孝富 郑齐文 崔江维 李豫东 周东

串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性

张兴尧, 郭旗, 陆妩, 张孝富, 郑齐文, 崔江维, 李豫东, 周东
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-01-04
  • 修回日期:  2013-04-15
  • 刊出日期:  2013-08-05

串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性

  • 1. 中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011;
  • 2. 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;
  • 3. 中国科学院大学, 北京 100049

摘要: 对一款商用串口I2C型铁电存储器进行了60Co 辐射和退火实验, 研究了铁电存储器的总剂量效应和退火特性. 使用了超大规模集成电路测试系统测试了铁电存储器的DC, AC, 功能参数, 分析了辐射敏感参数在辐射和退火过程中的变化规律. 实验结果表明: 总剂量辐射在器件内产生大量氧化物陷阱电荷, 造成了铁电存储器外围控制电路MOS管阈值向负向漂移, 氧化物陷阱电荷引入附加电场使铁电薄膜受肖特基发射或空间电荷限制电流的作用, 产生辐射感生漏电流. 由于浅能级亚稳态的氧化物陷阱电荷数量上多于深能级氧化物陷阱电荷, 使得器件功能和辐射敏感参数在常温退火过程中快速恢复.

English Abstract

参考文献 (16)

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