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三维H形栅SOINMOS器件总剂量条件下的单粒子效应

卓青青 刘红侠 王志

三维H形栅SOINMOS器件总剂量条件下的单粒子效应

卓青青, 刘红侠, 王志
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  • 本文通过数值模拟研究了H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应. 首先通过分析仿真程序中影响迁移率的物理模型, 发现通过修改了的由于表面散射造成迁移率退化的Lombardi模型, 仿真的SOI晶体管转移特性和实测数据非常符合. 然后使用该模型, 仿真研究了处于截止态 (VD=5V) 的 H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应. 结果表明: 随着总剂量水平的增加, 器件在同等条件的重离子注入下, 产生的最大漏极电流脉冲只是稍有增大, 但是漏极收集电荷随总剂量水平大幅增加.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 61076097, 60936005)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号: 200110203110012)资助的课题.
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    Dodd P E 2005 IEEE Trans. Dev. Mater. Rel. 5 343

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    Dodd P E, Massengill L W 2003 IEEE Trans. Nucl. Sci. 50 583

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    Tao W, Li C, Dinh A Bhuva B 2009 IEEE Trans. Nucl. Sci. 56 3556

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    Gouker P, Brandt J, Wyatt P, Tyrrell B, Soares A, Knecht J, Keast C, McMorrow D, Narasimham B, Gadlage M, Bhuva B 2008 IEEE Trans. Nucl. Sci. 55 2854

    [5]

    Gadlage M J, Gouker P, Bhuva B L, Narasimham B, Schrimpf R D 2009 IEEE Trans. Nucl. Sci. 56 3483

    [6]

    Kobayashi D, Saito H, Hirose K 2007 IEEE Trans. Nucl. Sci. 54 1037

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    Zhuo Q Q, Liu H X, Hao Y 2012 ActaPhys. Sin. 61 218502 (in Chinese) [卓青青, 刘红侠, 郝跃 2012 物理学报 61 218502]

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    Liu Z, Chen S, Liang B, Liu B W, Zhao Z Y 2010 ActaPhys. Sin. 58 649 (in Chinese) [刘征, 陈书明, 梁斌, 刘必慰, 赵振宇 2010 物理学报 58 649]

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    Sentaurus Device User Guide 2010 Synopsys Inc.

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    Dodd P E 2005 IEEE Trans. Dev. Mater. Rel. 5 343

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    Tao W, Li C, Dinh A Bhuva B 2009 IEEE Trans. Nucl. Sci. 56 3556

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    Gouker P, Brandt J, Wyatt P, Tyrrell B, Soares A, Knecht J, Keast C, McMorrow D, Narasimham B, Gadlage M, Bhuva B 2008 IEEE Trans. Nucl. Sci. 55 2854

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    Kobayashi D, Saito H, Hirose K 2007 IEEE Trans. Nucl. Sci. 54 1037

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    Zhuo Q Q, Liu H X, Hao Y 2012 ActaPhys. Sin. 61 218502 (in Chinese) [卓青青, 刘红侠, 郝跃 2012 物理学报 61 218502]

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    Liu Z, Chen S, Liang B, Liu B W, Zhao Z Y 2010 ActaPhys. Sin. 58 649 (in Chinese) [刘征, 陈书明, 梁斌, 刘必慰, 赵振宇 2010 物理学报 58 649]

    [9]

    Sentaurus Device User Guide 2010 Synopsys Inc.

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出版历程
  • 收稿日期:  2013-03-24
  • 修回日期:  2013-05-28
  • 刊出日期:  2013-09-05

三维H形栅SOINMOS器件总剂量条件下的单粒子效应

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61076097, 60936005)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号: 200110203110012)资助的课题.

摘要: 本文通过数值模拟研究了H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应. 首先通过分析仿真程序中影响迁移率的物理模型, 发现通过修改了的由于表面散射造成迁移率退化的Lombardi模型, 仿真的SOI晶体管转移特性和实测数据非常符合. 然后使用该模型, 仿真研究了处于截止态 (VD=5V) 的 H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应. 结果表明: 随着总剂量水平的增加, 器件在同等条件的重离子注入下, 产生的最大漏极电流脉冲只是稍有增大, 但是漏极收集电荷随总剂量水平大幅增加.

English Abstract

参考文献 (9)

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