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低温下单根ZnO纳米带电学性质的研究

李铭杰 高红 李江禄 温静 李凯 张伟光

低温下单根ZnO纳米带电学性质的研究

李铭杰, 高红, 李江禄, 温静, 李凯, 张伟光
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  • 用化学气相沉积法在硅衬底上合成了宽1 μm左右、长数十微米的ZnO纳米带. 采用微栅模板法得到单根ZnO纳米带半导体器件, 由I-V特性曲线测得室温下ZnO纳米带电阻约3 MΩ, 电阻率约0.4 Ω·cm. 研究了在20–280 K温度范围内单根ZnO纳米带电阻随温度的变化. 结果表明: 在不同温度区间内电阻随温度变化趋势明显不同, 存在两种不同的输运机制. 在130–280 K较高的温度范围内, 单根ZnO纳米带电子输运机制符合热激活输运机制, 随着温度继续降低(< 130 K), 近邻跳跃传导为主导输运机制.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:11074060,51172058)和黑龙江省教育厅科学技术研究重点项目(批准号:12521z012)资助的课题.
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    Heo Y W, Tien L C, Norton D P, Kang B S, Ren F, Gila B P, Pearton S J 2004 Appl. Phys. Lett. 85 2002

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    Tsai L T, Chiu S P, Lu J G, Lin J J 2010 Nanotechnology 21 145202

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出版历程
  • 收稿日期:  2013-02-08
  • 修回日期:  2013-06-04
  • 刊出日期:  2013-09-05

低温下单根ZnO纳米带电学性质的研究

  • 1. 哈尔滨师范大学物理与电子工程学院, 光电带隙材料省部共建教育部重点实验室, 哈尔滨 150025
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:11074060,51172058)和黑龙江省教育厅科学技术研究重点项目(批准号:12521z012)资助的课题.

摘要: 用化学气相沉积法在硅衬底上合成了宽1 μm左右、长数十微米的ZnO纳米带. 采用微栅模板法得到单根ZnO纳米带半导体器件, 由I-V特性曲线测得室温下ZnO纳米带电阻约3 MΩ, 电阻率约0.4 Ω·cm. 研究了在20–280 K温度范围内单根ZnO纳米带电阻随温度的变化. 结果表明: 在不同温度区间内电阻随温度变化趋势明显不同, 存在两种不同的输运机制. 在130–280 K较高的温度范围内, 单根ZnO纳米带电子输运机制符合热激活输运机制, 随着温度继续降低(< 130 K), 近邻跳跃传导为主导输运机制.

English Abstract

参考文献 (20)

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