搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

反向衬底偏压下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生电流特性研究

陈海峰

反向衬底偏压下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生电流特性研究

陈海峰
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  833
  • PDF下载量:  474
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2013-04-25
  • 修回日期:  2013-05-08
  • 刊出日期:  2013-09-05

反向衬底偏压下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生电流特性研究

  • 1. 西安邮电大学电子工程学院, 西安 710121
    基金项目: 

    陕西省教育厅科学研究计划(批准号:2013JK1095)资助的课题.

摘要: 研究了反向衬底偏压VB下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生(GMG)电流IGMG特性, 发现IGMG曲线的上升沿与下降沿随着|VB|的增大向右漂移. 基于实验和理论模型分析, 得出了VB与这种漂移之间的物理作用机制, 漂移现象的产生归因于衬底偏压VB 调节了表面电势φs在栅电压VG 中的占有比重: |VB|增大时相同VG下φs会变小, φs 的变化继而引发上升沿产生率因子gr减小以及下降沿产生率因子gf增大. 进一步发现IGMG 上升沿与下降沿的最大跨导GMR, GMF 在对数坐标系下与VB成线性关系, 并且随着|VB|增加而增大. 由于漏电压VD在IGMG 上升沿与下降沿中的作用不同, 三种VD下GMR-VB曲线重合而GMF-VB曲线则产生差异. 增大VD 会增强gf 随VG的变化, 因此使得给定VB 下的GMF变大. 同时这却导致了更大VD下GMF-VB 曲线变化的趋势减缓, 随着VD从0.2 V变为0.6 V, 曲线的斜率s从0.09减小到0.03.

English Abstract

参考文献 (16)

目录

    /

    返回文章
    返回