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基于金属氧化物半导体晶体管Colpitts混沌振荡电路及其同步研究

王春华 徐浩 万钊 胡燕

基于金属氧化物半导体晶体管Colpitts混沌振荡电路及其同步研究

王春华, 徐浩, 万钊, 胡燕
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-04-15
  • 修回日期:  2013-07-19
  • 刊出日期:  2013-10-05

基于金属氧化物半导体晶体管Colpitts混沌振荡电路及其同步研究

  • 1. 湖南大学信息科学与工程学院, 长沙 410082
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61274020)和湖南省高校重点实验室开放基金(批准号: 12K011)资助的课题.

摘要: 用金属氧化物半导体(MOS)晶体管模型取代传统Colpitts混沌振荡电路中的三极管模型, 提出了一种基于MOS管的Colpitts混沌振荡电路. 通过合适的归一化方法, 得到了与基于三极管电路类似的状态模型. 平衡点的指标说明两种结构产生混沌的机理并不相同. 然后, 通过参数反演, 得到了详细的电路参数, 并用Pspice软件仿真得到了混沌吸引子和混沌信号的频谱图, 说明了此结构可在低电压下工作并且能产生高频率的混沌信号. 最后, 用误差反馈的方法实现了这种结构的同步.

English Abstract

参考文献 (18)

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