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1 eV吸收带边GaInAs/GaNAs超晶格太阳能电池的阱层设计

王海啸 郑新和 吴渊渊 甘兴源 王乃明 杨辉

1 eV吸收带边GaInAs/GaNAs超晶格太阳能电池的阱层设计

王海啸, 郑新和, 吴渊渊, 甘兴源, 王乃明, 杨辉
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-05-16
  • 修回日期:  2013-08-15
  • 刊出日期:  2013-11-05

1 eV吸收带边GaInAs/GaNAs超晶格太阳能电池的阱层设计

  • 1. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 纳米器件与应用重点实验室, 苏州 215123;
  • 2. 中国科学院大学, 北京 100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61274134)和苏州市国际合作项目(批准号: SH201215)资助的课题.

摘要: 使用In, N分离的GaInAs/GaNAs超晶格作为有源区是实现高质量1eV带隙 GaInNAs基太阳能电池的重要方案之一. 为在实验上生长出高质量相应吸收带边的超晶格结构, 本文采用计算超晶格电子态常用的Kronig-Penney模型比较了不同阱层材料选择下, 吸收带边为1 eV的GaInAs/GaNAs超晶格相关参数的对应关系以及超晶格应变状态. 结果表明: GaNAs与GaInAs作为超晶格阱层材料在实现1 eV的吸收带边时具有不同的考虑和要求; 在固定1 eV的吸收带边时, GaNAs材料作为阱层可获得较好的超晶格应变补偿, 将有利于生长高质量且充分吸收的太阳能电池有源区.

English Abstract

参考文献 (17)

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