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Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率

陈茜 王海龙 汪辉 龚谦 宋志棠

Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率

陈茜, 王海龙, 汪辉, 龚谦, 宋志棠
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  • 在有效质量近似下利用打靶法求出Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱中的本征能级En, 并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律. 计算结果表明: 在In 组分恒定的情况下, 随着N组分的增加, 散射率和平均散射率增加; 在N组分恒定的情况下, 随着In组分的增加, 散射率和平均散射率减小; 随着温度的增加, 在温度较低时散射率和平均散射率随温度的增加变化不大, 在温度较高时随温度的增加而增加; 随着阱宽的增加, 散射率和平均散射率都是先增加到一个最大值, 然后再减小, 最大值出现在阱宽200 Å附近. 计算结果对Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱在光电子器件应用方面有一定的指导意义.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60976015, 61176065)、山东省自然科学基金 (批准号: ZR2010FM023)和信息功能材料国家重点实验开放基金资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-08-09
  • 修回日期:  2013-08-19
  • 刊出日期:  2013-11-20

Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率

  • 1. 山东省激光偏光与信息技术重点实验室, 曲阜师范大学物理系, 曲阜 273165;
  • 2. 中国科学院上海高等研究院, 上海 201203;
  • 3. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60976015, 61176065)、山东省自然科学基金 (批准号: ZR2010FM023)和信息功能材料国家重点实验开放基金资助的课题.

摘要: 在有效质量近似下利用打靶法求出Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱中的本征能级En, 并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律. 计算结果表明: 在In 组分恒定的情况下, 随着N组分的增加, 散射率和平均散射率增加; 在N组分恒定的情况下, 随着In组分的增加, 散射率和平均散射率减小; 随着温度的增加, 在温度较低时散射率和平均散射率随温度的增加变化不大, 在温度较高时随温度的增加而增加; 随着阱宽的增加, 散射率和平均散射率都是先增加到一个最大值, 然后再减小, 最大值出现在阱宽200 Å附近. 计算结果对Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱在光电子器件应用方面有一定的指导意义.

English Abstract

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