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强流脉冲电子束辐照诱发纯钼表面的损伤效应及结构缺陷

季乐 杨盛志 蔡杰 李艳 王晓彤 张在强 侯秀丽 关庆丰

强流脉冲电子束辐照诱发纯钼表面的损伤效应及结构缺陷

季乐, 杨盛志, 蔡杰, 李艳, 王晓彤, 张在强, 侯秀丽, 关庆丰
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  • 利用强流脉冲电子束(HCPEB)装置对纯钼表面进行辐照处理,并利用X射线衍射仪,扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)详细分析了辐照表面的微观结构和损伤效应. 1次HCPEB辐照后,纯钼表层积聚了极大的残余应力,多次辐照后表面未融化区域出现大量绝热剪切带,且局部区域发生开裂. 微观结构分析显示,辐照后材料表面形成发散状的位错组态和大量空位簇缺陷;绝热剪切带内部是尺寸为1 μm 左右等轴状的再结晶晶粒. 剪切带造成的材料表面局部软化以及间隙原子偏聚于晶界是材料发生开裂的主要原因. 另外,表面熔化区域可形成尺寸为20 nm左右的纳米晶.
    • 基金项目: 国家自然科学基金委员会-中国民用航空局联合基金(批准号:U1233111)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-06-13
  • 修回日期:  2013-09-02
  • 刊出日期:  2013-12-05

强流脉冲电子束辐照诱发纯钼表面的损伤效应及结构缺陷

  • 1. 江苏大学材料科学与工程学院, 镇江 212013
    基金项目: 

    国家自然科学基金委员会-中国民用航空局联合基金(批准号:U1233111)资助的课题.

摘要: 利用强流脉冲电子束(HCPEB)装置对纯钼表面进行辐照处理,并利用X射线衍射仪,扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)详细分析了辐照表面的微观结构和损伤效应. 1次HCPEB辐照后,纯钼表层积聚了极大的残余应力,多次辐照后表面未融化区域出现大量绝热剪切带,且局部区域发生开裂. 微观结构分析显示,辐照后材料表面形成发散状的位错组态和大量空位簇缺陷;绝热剪切带内部是尺寸为1 μm 左右等轴状的再结晶晶粒. 剪切带造成的材料表面局部软化以及间隙原子偏聚于晶界是材料发生开裂的主要原因. 另外,表面熔化区域可形成尺寸为20 nm左右的纳米晶.

English Abstract

参考文献 (21)

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