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Ge掺杂n型Sn基Ⅷ型单晶笼合物的制备及热电传输特性

孟代仪 申兰先 晒旭霞 董国俊 邓书康

Ge掺杂n型Sn基Ⅷ型单晶笼合物的制备及热电传输特性

孟代仪, 申兰先, 晒旭霞, 董国俊, 邓书康
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  • 采用Sn自熔剂法制备了具有n型传导的Ⅷ型Ba8Ga16-xGexSn30 (0 ≤ x ≤ 1.0)单晶笼合物,并对其结构和热电特性进行研究. 研究结果表明:Ge在单晶中的实际含量较少,随着掺杂量的增加样品的晶格常数略有减小,Ge掺杂后样品的载流子浓度较掺杂前低,迁移率增加;所有样品的Seebeck系数均为负值,且绝对值较未掺杂样品低,但Ge掺杂后样品的电导率提高了62%;x=0.5的样品在500 K附近取得最大ZT值1.25.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:51262032)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-09-03
  • 修回日期:  2013-09-27
  • 刊出日期:  2013-12-20

Ge掺杂n型Sn基Ⅷ型单晶笼合物的制备及热电传输特性

  • 1. 云南师范大学, 太阳能研究所, 可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室, 昆明 650092
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:51262032)资助的课题.

摘要: 采用Sn自熔剂法制备了具有n型传导的Ⅷ型Ba8Ga16-xGexSn30 (0 ≤ x ≤ 1.0)单晶笼合物,并对其结构和热电特性进行研究. 研究结果表明:Ge在单晶中的实际含量较少,随着掺杂量的增加样品的晶格常数略有减小,Ge掺杂后样品的载流子浓度较掺杂前低,迁移率增加;所有样品的Seebeck系数均为负值,且绝对值较未掺杂样品低,但Ge掺杂后样品的电导率提高了62%;x=0.5的样品在500 K附近取得最大ZT值1.25.

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