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等离子体增强InAs单量子点荧光辐射的研究

王海艳 窦秀明 倪海桥 牛智川 孙宝权

等离子体增强InAs单量子点荧光辐射的研究

王海艳, 窦秀明, 倪海桥, 牛智川, 孙宝权
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  • 通过测量光致发光(PL)谱、PL时间分辨光谱及不同激发功率下PL发光强度,研究了低温(5 K)下等离子体对InAs单量子点 PL光谱的增强效应. 采用电子束蒸发镀膜技术在InAs量子点样品表面淀积了5 nm厚度的金膜,形成纳米金岛膜结构. 实验发现,金岛膜有利于量子点样品发光强度的增加,最大PL强度增加了约5倍,其主要物理机理是金岛膜纳米结构提高了量子点 PL光谱的收集效率.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:11074246)资助的课题.
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    Michler P 2009 Single Semiconductor Quantum Dots (Berlin, Heidelberg: Springer-Verlag) pp3, 4

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    de Leon N P, Shields B J, Yu C L, Englund D E, Akimov A V, Lukin M D, Park H 2012 Phys. Rev. Lett. 108 226803

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    Pfeiffer M, Lindfors K, Armando P A, Schmidt O G, Giessen H, Lippitz M 2012 Phys. Status Solidi B 249 678

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出版历程
  • 收稿日期:  2013-08-30
  • 修回日期:  2013-10-10
  • 刊出日期:  2014-01-20

等离子体增强InAs单量子点荧光辐射的研究

  • 1. 中国科学院半导体研究所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:11074246)资助的课题.

摘要: 通过测量光致发光(PL)谱、PL时间分辨光谱及不同激发功率下PL发光强度,研究了低温(5 K)下等离子体对InAs单量子点 PL光谱的增强效应. 采用电子束蒸发镀膜技术在InAs量子点样品表面淀积了5 nm厚度的金膜,形成纳米金岛膜结构. 实验发现,金岛膜有利于量子点样品发光强度的增加,最大PL强度增加了约5倍,其主要物理机理是金岛膜纳米结构提高了量子点 PL光谱的收集效率.

English Abstract

参考文献 (24)

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