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基于纳米硅结构的氮化硅基发光器件电致发光特性研究

林圳旭 林泽文 张毅 宋超 郭艳青 王祥 黄新堂 黄锐

基于纳米硅结构的氮化硅基发光器件电致发光特性研究

林圳旭, 林泽文, 张毅, 宋超, 郭艳青, 王祥, 黄新堂, 黄锐
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  • 利用等离子体增强化学气相沉积法制备了镶嵌于氮化硅的高密度纳米硅薄膜,并以此作为发光有源层构建基于p-Si/氮化硅基发光层/AZO结构发光二极管,在室温下观察到了电致可见发光. 在此基础上,在器件p-Si空穴注入层与氮化硅基发光层之间加入纳米硅薄层作为空穴阻挡层,研究器件电致发光性质,实验结果表明器件的发光强度显著增强,并且发光效率较无纳米硅阻挡层的发光器件提高了80%以上.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:61274140,61306003)资助的课题.
    [1]

    Chen K, Huang X, Xu J, Feng D 1992 Appl. Phys. Lett. 61 2069

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    Qin G G, Ma S Y, Ma Z C, Zong W H, You L P 1998 Solid State Communications 106 329

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    Pavesi L, Dal Negro L, Mazzoleni C, Franzò G, Priolo F 2000 Nature 408 440

    [4]

    Ma L B 2006 Appl. Phys. Lett. 88 093102

    [5]

    Hao H L, Wu L K, Shen W Z 2008 Appl. Phys. Lett. 92 121922

    [6]

    Wang M, Li D, Yuan Z, Yang D, Que D 2007 Appl. Phys. Lett. 90 131903

    [7]

    Zhou J, Chen G R, Liu Y, Xu J, Wang T, Wan N, Ma Z Y, Li W, Song C, Chen K J 2009 Opt. Express. 17 156

    [8]

    Huang R, Dong H, Wang D, Chen K, Ding H, Wang X, Li W, Xu J, Ma Z 2008 Appl. Phys. Lett. 92 181106

    [9]

    Huang R, Song J, Wang X, Guo Y, Song C, Zheng Z, Wu X, Chu P K 2012 Opt. Lett. 37 692

    [10]

    Wang X, Huang R, Song C, Guo Y, Song J 2013 Appl. Phys. Lett. 102 081114

    [11]

    Huang R, Wang D Q, Song J, Ding H L, Wang X, Guo Y Q, Chen K J, Xu J, Li W, Ma Z Y 2010 Acta Phys. Sin. 59 5827 ((in Chinese) [黄锐, 王旦清, 宋捷, 丁宏林, 王祥, 郭艳青, 陈坤基, 徐骏, 李伟, 马忠元 2010 物理学报 59 5827]

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    Ding W G, Sang Y G, Yu W, Yang Y B, Teng X Y, Fu G S 2012 Acta Phys. Sin. 61 247304 (in Chinese) [丁文革, 桑云刚, 于威, 杨彦斌, 滕晓云, 傅广生 2012 物理学报 61 247304]

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    Liu C W 2000 Appl. Phys. Lett. 77 4347

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    Huang R, Lin Z W, Lin Z X, Song C, Wang X, Guo Y Q, Song J 2014 IEEE J Sel. Topics Quantum. Electron. 20 8200306

    [15]

    Wang F, Li D, Jin L 2013 Appl. Phys. Lett. 102 081108

    [16]

    Mu W, Zhang P, Xu J, Sun S, Xu J, Li W, Chen K 2014 IEEE J. Sel. Topics Quantum. Electron. 20 8200106

  • [1]

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    Qin G G, Ma S Y, Ma Z C, Zong W H, You L P 1998 Solid State Communications 106 329

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  • [1] 王久敏, 陈坤基, 宋 捷, 余林蔚, 吴良才, 李 伟, 黄信凡. 氮化硅介质中双层纳米硅薄膜的两级电荷存储. 物理学报, 2006, 55(11): 6080-6084. doi: 10.7498/aps.55.6080
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-10-13
  • 修回日期:  2013-10-27
  • 刊出日期:  2014-02-05

基于纳米硅结构的氮化硅基发光器件电致发光特性研究

  • 1. 华中师范大学纳米科技研究院, 武汉 430079;
  • 2. 韩山师范学院物理与电子工程系, 潮州 521041
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61274140,61306003)资助的课题.

摘要: 利用等离子体增强化学气相沉积法制备了镶嵌于氮化硅的高密度纳米硅薄膜,并以此作为发光有源层构建基于p-Si/氮化硅基发光层/AZO结构发光二极管,在室温下观察到了电致可见发光. 在此基础上,在器件p-Si空穴注入层与氮化硅基发光层之间加入纳米硅薄层作为空穴阻挡层,研究器件电致发光性质,实验结果表明器件的发光强度显著增强,并且发光效率较无纳米硅阻挡层的发光器件提高了80%以上.

English Abstract

参考文献 (16)

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