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源漏电极的制备对氧化物薄膜晶体管性能的影响

徐华 兰林锋 李民 罗东向 肖鹏 林振国 宁洪龙 彭俊彪

源漏电极的制备对氧化物薄膜晶体管性能的影响

徐华, 兰林锋, 李民, 罗东向, 肖鹏, 林振国, 宁洪龙, 彭俊彪
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-09-27
  • 修回日期:  2013-10-26
  • 刊出日期:  2014-02-05

源漏电极的制备对氧化物薄膜晶体管性能的影响

  • 1. 发光材料与器件国家重点实验室, 华南理工大学材料科学与工程学院, 广州 510640
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(863计划)(批准号:2011AA03A110)、国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2009CB623600和2009CB930604)、国家自然科学基金重点项目(批准号:61204087,51173049,U0634003,61036007和60937001)和广东省平板显示项目(批准号:20081202)资助的课题.

摘要: 本文采用钼-铝-钼(Mo/Al/Mo)叠层结构作为源漏电极,制备氧化铟锌(IZO)薄膜晶体管(TFT). 研究了Mo/Al/Mo源漏电极中与IZO接触的Mo层溅射功率对TFT器件性能的影响. 随着Mo层溅射功率的增加,器件开启电压(Von)负向移动,器件均匀性下降. 通过X射线光电子能谱(XPS)深度剖析发现IZO/Mo界面有明显的扩散;当Mo层溅射功率减小时,扩散得到了抑制. 制备的器件处于常关状态(开启电压为0.5 V,增强模式),不仅迁移率高(~ 13 cm2·V-1·s-1),而且器件半导体特性均匀.

English Abstract

参考文献 (18)

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