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C在不同位置掺杂(n,n)型BN纳米管的密度泛函研究

王艳丽 苏克和 颜红侠 王欣

C在不同位置掺杂(n,n)型BN纳米管的密度泛函研究

王艳丽, 苏克和, 颜红侠, 王欣
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-09-08
  • 修回日期:  2013-11-01
  • 刊出日期:  2014-02-05

C在不同位置掺杂(n,n)型BN纳米管的密度泛函研究

  • 1. 西北工业大学理学院应用化学系, 空间应用物理与化学教育部重点实验室, 西安 710072
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50572089)和西北工业大学基础基金(批准号:JC201269)资助的课题.

摘要: 用密度泛函B3LYP/3-21G(d)方法,并利用周期边界条件,研究了C原子在不同位置掺杂的(n,n)型BN纳米管的结构与性质. 揭示了几何结构特征、能量、稳定性和能带结构的变化规律. 研究了C 原子在B位或N 位置分别掺杂的BN 纳米管的模型(掺杂浓度x=1/(4n),n=3–9),部分B位掺杂管发生了变形,而所有N位掺杂管则几乎不变形,而且N 位比B位的掺杂能更低(管更稳定),B位掺杂管的能隙为1.054–2.411 eV,N掺杂管的能隙为0.252–1.207 eV,所有掺杂管都是半导体,所有掺杂管都具有直接带隙.

English Abstract

参考文献 (17)

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