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电极间距对μc-Si1-xGex:H薄膜结构特性的影响

曹宇 张建军 严干贵 倪牮 李天微 黄振华 赵颖

电极间距对μc-Si1-xGex:H薄膜结构特性的影响

曹宇, 张建军, 严干贵, 倪牮, 李天微, 黄振华, 赵颖
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  • 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,使用SiH4加GeH4的反应气源组合生长微晶硅锗(μc-Si1-xGex:H)薄膜. 研究了电极间距对μc-Si1-xGex:H薄膜结构特性的影响. 发现薄膜中的Ge含量随电极间距的降低逐渐增加. 当电极间距降至7 mm时,μc-Si1-xGex:H薄膜具有较大的晶粒尺寸并呈现较强的(220)择优取向,同时具有较低的微结构因子. 通过薄膜结构特性的变化分析了反应气源的分解状态,认为Ge含量的提高主要是SiH4的分解率降低所导致的. 在较窄的电极间距(7 mm)下,等离子体中GeH3基团的比例较大,增强了Ge前驱物的扩散能力,使μc-Si1-xGex:H薄膜的质量得到提高.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707)、国家自然科学基金(批准号:61377031)、天津市应用基础及前沿技术研究计划(批准号:12JCQNJC01000)和东北电力大学博士科研启动基金(批准号:BSJXM-201304)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-10-13
  • 修回日期:  2013-12-21
  • 刊出日期:  2014-04-05

电极间距对μc-Si1-xGex:H薄膜结构特性的影响

  • 1. 东北电力大学电气工程学院, 吉林 132012;
  • 2. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所, 光电信息技术科学教育部重点实验室, 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室, 天津 300071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707)、国家自然科学基金(批准号:61377031)、天津市应用基础及前沿技术研究计划(批准号:12JCQNJC01000)和东北电力大学博士科研启动基金(批准号:BSJXM-201304)资助的课题.

摘要: 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,使用SiH4加GeH4的反应气源组合生长微晶硅锗(μc-Si1-xGex:H)薄膜. 研究了电极间距对μc-Si1-xGex:H薄膜结构特性的影响. 发现薄膜中的Ge含量随电极间距的降低逐渐增加. 当电极间距降至7 mm时,μc-Si1-xGex:H薄膜具有较大的晶粒尺寸并呈现较强的(220)择优取向,同时具有较低的微结构因子. 通过薄膜结构特性的变化分析了反应气源的分解状态,认为Ge含量的提高主要是SiH4的分解率降低所导致的. 在较窄的电极间距(7 mm)下,等离子体中GeH3基团的比例较大,增强了Ge前驱物的扩散能力,使μc-Si1-xGex:H薄膜的质量得到提高.

English Abstract

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