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Si掺杂HfO2薄膜的铁电和反铁电性质

周大雨 徐进

Si掺杂HfO2薄膜的铁电和反铁电性质

周大雨, 徐进
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-12-28
  • 修回日期:  2014-02-27
  • 刊出日期:  2014-06-05

Si掺杂HfO2薄膜的铁电和反铁电性质

  • 1. 大连理工大学材料科学与工程学院, 大连 116024;
  • 2. 大连东软信息学院电子工程系, 大连 116023
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:51272034)和电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金(批准号:KFJJ201101)资助的课题.

摘要: 通过改变Si 掺杂量制备出了具有显著铁电和反铁电特征的HfO2 纳米薄膜,对其电滞回线、电容-电压和漏电流-电压特性以及物相温度稳定性进行了对比研究. 反铁电薄膜的介电系数大于铁电薄膜,在电场加载和减载过程中发生的可逆反铁电-铁电相变导致了双电滞回线的出现,在室温至185℃的测试温度范围内未出现反铁电顺电相变. 在电流-电压特性测量时观察到的负微分电阻效应归因于极化弛豫等慢响应机理的贡献.

English Abstract

参考文献 (39)

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