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SOI SiGe HBT结构设计及频率特性研究

宋建军 杨超 朱贺 张鹤鸣 宣荣喜 胡辉勇 舒斌

SOI SiGe HBT结构设计及频率特性研究

宋建军, 杨超, 朱贺, 张鹤鸣, 宣荣喜, 胡辉勇, 舒斌
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-01-08
  • 修回日期:  2014-01-25
  • 刊出日期:  2014-06-05

SOI SiGe HBT结构设计及频率特性研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    教育部博士点基金(批准号:JY0300122503)和中央高校基本科研业务费(批准号:72125499)资助的课题.

摘要: 将SOI技术优势引入SiGe HBT,可满足当前BiCMOS高速低功耗的应用需求. SOI SiGe HBT作为BiCMOS工艺的核心器件,其频率特性决定了电路所能达到的工作速度. 为此,本文针对所提出的SOI SiGe HBT 器件结构,重点研究了该器件的频率特性,并通过所建立的集电区电容模型予以分析. 规律和结果为:1)SOI SiGe HBT特征频率随集电区掺杂浓度的升高而增加;2)SOI SiGe HBT特征频率与集电极电流IC之间的变化规律与传统SiGe HBT的相一致;3)正常工作状态,SOI SiGe HBT(集电区3×1017 cm-3 掺杂)最高振荡频率fmax大于140 GHz,且特征频率fT大于60 GHz. 与传统SiGe HBT相比,特征频率最大值提高了18.84%. 以上规律及结论可为SOI SiGe HBT及BiCMOS的研究设计提供重要依据.

English Abstract

参考文献 (11)

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