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将SOI技术优势引入SiGe HBT,可满足当前BiCMOS高速低功耗的应用需求. SOI SiGe HBT作为BiCMOS工艺的核心器件,其频率特性决定了电路所能达到的工作速度. 为此,本文针对所提出的SOI SiGe HBT 器件结构,重点研究了该器件的频率特性,并通过所建立的集电区电容模型予以分析. 规律和结果为:1)SOI SiGe HBT特征频率随集电区掺杂浓度的升高而增加;2)SOI SiGe HBT特征频率与集电极电流IC之间的变化规律与传统SiGe HBT的相一致;3)正常工作状态,SOI SiGe HBT(集电区3×1017 cm-3 掺杂)最高振荡频率fmax大于140 GHz,且特征频率fT大于60 GHz. 与传统SiGe HBT相比,特征频率最大值提高了18.84%. 以上规律及结论可为SOI SiGe HBT及BiCMOS的研究设计提供重要依据.
[1] Seth S, Song P, Cressler J D, Babcock J A 2011 IEEE T. Electron Dev. 59 2531
[2] Peng C, Seth S, Cressler J D, Cestra G, Krakowski T, Babcock J A, Buchholz A 2011 IEEE T. Electron Dev. 58 2573
[3] Hermann P, Hecker M, Renn F, Rlke M, Kolanek K, Rinderknecht J, Eng L M 2011 J. Appl. Phys. 109
[4] Zhang B, Yang Y T, Li, Y J, Xu X B 2012 Acta Phys. Sin. 61 238502 (in Chinese)[张滨, 杨银堂, 李跃进, 徐小波 2012 物理学报 61 238502]
[5] Wilcox E P, Phillips S D, Cheng P, Thrivikraman T, Madan A, Cressler J D, Vizkelethy G, Marshall P W, Marshall C, Babcock J A, Kruckmeyer K, Eddy R, Cestra G, Zhang B Y 2010 IEEE T. Nucl. Sci. 57 3293
[6] Avenier G, Fregonese S, Chevalier P, Bustos J, Saguin F, Schwartzmann T, Maneux C, Zimmer T, Chantre A 2008 IEEE T. Electron Dev. 55 585
[7] Bellini M, Phillips S D, Diestelhorst R M, Cheng P, Cressler J D, Marshall P W, Turowski M, Avenier G, Chantre A, Chevalier P 2008 IEEE T. Nucl Sci. 55 3197
[8] Fregonese S, Avenier G, Maneux C, Chantre A, Zimmer T 2005 IEEE T. Electron Dev. 53 296
[9] Xu X B, Zhang H M, Hu H Y, Ma J L, Xu L J 2011 Chin. Phys. B 20 018502
[10] Xu X B, Zhang H M, Hu H Y, Ma J L 2011 Chin. Phys. B 20 058502
[11] Xu X B, Zhang H M, Hu H Y, Qu J T 2011 Chin. Phys. B 20 058503
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[1] Seth S, Song P, Cressler J D, Babcock J A 2011 IEEE T. Electron Dev. 59 2531
[2] Peng C, Seth S, Cressler J D, Cestra G, Krakowski T, Babcock J A, Buchholz A 2011 IEEE T. Electron Dev. 58 2573
[3] Hermann P, Hecker M, Renn F, Rlke M, Kolanek K, Rinderknecht J, Eng L M 2011 J. Appl. Phys. 109
[4] Zhang B, Yang Y T, Li, Y J, Xu X B 2012 Acta Phys. Sin. 61 238502 (in Chinese)[张滨, 杨银堂, 李跃进, 徐小波 2012 物理学报 61 238502]
[5] Wilcox E P, Phillips S D, Cheng P, Thrivikraman T, Madan A, Cressler J D, Vizkelethy G, Marshall P W, Marshall C, Babcock J A, Kruckmeyer K, Eddy R, Cestra G, Zhang B Y 2010 IEEE T. Nucl. Sci. 57 3293
[6] Avenier G, Fregonese S, Chevalier P, Bustos J, Saguin F, Schwartzmann T, Maneux C, Zimmer T, Chantre A 2008 IEEE T. Electron Dev. 55 585
[7] Bellini M, Phillips S D, Diestelhorst R M, Cheng P, Cressler J D, Marshall P W, Turowski M, Avenier G, Chantre A, Chevalier P 2008 IEEE T. Nucl Sci. 55 3197
[8] Fregonese S, Avenier G, Maneux C, Chantre A, Zimmer T 2005 IEEE T. Electron Dev. 53 296
[9] Xu X B, Zhang H M, Hu H Y, Ma J L, Xu L J 2011 Chin. Phys. B 20 018502
[10] Xu X B, Zhang H M, Hu H Y, Ma J L 2011 Chin. Phys. B 20 058502
[11] Xu X B, Zhang H M, Hu H Y, Qu J T 2011 Chin. Phys. B 20 058503
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