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等离子体增强化学气相沉积工艺制备SiON膜及对硅的钝化

何素明 戴珊珊 罗向东 张波 王金斌

等离子体增强化学气相沉积工艺制备SiON膜及对硅的钝化

何素明, 戴珊珊, 罗向东, 张波, 王金斌
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-12-29
  • 修回日期:  2014-03-05
  • 刊出日期:  2014-06-05

等离子体增强化学气相沉积工艺制备SiON膜及对硅的钝化

  • 1. 湘潭大学材料与光电物理学院, 低维材料与应用技术教育部重点实验室, 湘潭 411105;
  • 2. 中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083;
  • 3. 南通大学, 江苏省专用集成电路设计重点实验室, 南通 226019
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB925604,2011CB922004)和中国博士后科学基金(批准号:20110490075)资助的课题.

摘要: 研究了等离子体增强化学气相沉积工艺条件对氮氧化硅膜的生长厚度及折射率的影响以及氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p型硅片的钝化效果. 实验结果表明,NH3的流量和N2O/SiH4 流量比对氮氧化硅膜的影响较大,薄膜折射率能从1.48变化到2.1,厚度从30–60 nm不等. 腔内压力和射频功率主要影响膜厚,压力越大,功率越大,沉积速率加快,生成的膜越厚. 温度对膜厚和折射率的影响可以忽略. 钝化效果显示,在有无NH3下,N2O/SiH4流量比分别为20和30时,退火后氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p 型硅的钝化效果最好,其潜在电压和少子寿命分别为652 mV,56.7 μs 和649 mV,50.8 μs,均优于参照组氮化硅膜样品的钝化效果.

English Abstract

参考文献 (21)

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