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SiC/C界面辐照性能的分子动力学研究

王成龙 王庆宇 张跃 李忠宇 洪兵 苏折 董良

SiC/C界面辐照性能的分子动力学研究

王成龙, 王庆宇, 张跃, 李忠宇, 洪兵, 苏折, 董良
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  • 本文通过分子动力学模拟的方法,研究了5种含不同空间结构的SiC/C界面的材料受辐照后的缺陷分布随时间以及PKA位置的变化关系,并与单质SiC中缺陷分布情况进行对比. 利用径向分布函数分析了辐照对界面原子排列情况的影响. 研究结果表明,SiC/C界面的抗辐照能力明显低于SiC内部,不同的空间结构对界面缺陷数量存在一定影响. 由径向分布函数推得界面区域石墨原子密度高则界面原子排列情况受辐照影响越大.
    • 基金项目: 哈尔滨工程大学中央高校基本科研业务费项目(批准号:HEUCFT1103,HEUCF131507)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-12-31
  • 修回日期:  2014-06-05
  • 刊出日期:  2014-08-05

SiC/C界面辐照性能的分子动力学研究

  • 1. 哈尔滨工程大学核科学与技术学院, 核安全与仿真技术国防重点学科实验室, 哈尔滨 150001;
  • 2. 环境保护部核与辐射安全中心, 北京 100082
    基金项目: 

    哈尔滨工程大学中央高校基本科研业务费项目(批准号:HEUCFT1103,HEUCF131507)资助的课题.

摘要: 本文通过分子动力学模拟的方法,研究了5种含不同空间结构的SiC/C界面的材料受辐照后的缺陷分布随时间以及PKA位置的变化关系,并与单质SiC中缺陷分布情况进行对比. 利用径向分布函数分析了辐照对界面原子排列情况的影响. 研究结果表明,SiC/C界面的抗辐照能力明显低于SiC内部,不同的空间结构对界面缺陷数量存在一定影响. 由径向分布函数推得界面区域石墨原子密度高则界面原子排列情况受辐照影响越大.

English Abstract

参考文献 (55)

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