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金属壁与介质窗之间次级电子倍增效应的研究

张雪 王勇 范俊杰 朱方 张瑞

金属壁与介质窗之间次级电子倍增效应的研究

张雪, 王勇, 范俊杰, 朱方, 张瑞
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-02-18
  • 修回日期:  2014-04-28
  • 刊出日期:  2014-08-20

金属壁与介质窗之间次级电子倍增效应的研究

  • 1. 中国科学院电子学研究所, 中国科学院高功率微波源与技术重点实验室, 北京 100190;
  • 2. 中国科学院大学, 北京 100149
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2013CB328901)资助的课题.

摘要: 高功率盒形窗内的TM11模法向电场对次级电子倍增现象具有较大的影响,特别是在介质窗片与金属波导壁相对的区域,易发生双面次级电子倍增. 采用蒙特卡罗粒子模拟方法,研究了法向电场作用下氧化铝陶瓷窗片与铜波导壁之间的双面倍增敏感曲线、倍增阈值电压、粒子数量的演变过程以及粒子运动轨迹. 通过对相关参数的分析,获得了金属壁与陶瓷窗片之间双面谐振倍增和非谐振倍增的规律以及双面倍增向单面倍增转变的特点. 此研究可为分析窗片失效机理提供理论依据.

English Abstract

参考文献 (26)

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