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刻周期半圆弧槽窗片对次级电子倍增效应的抑制

张雪 范俊杰 王勇

刻周期半圆弧槽窗片对次级电子倍增效应的抑制

张雪, 范俊杰, 王勇
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  • 为了抑制高功率盒形窗内的次级电子倍增效应, 研究了一种刻周期半圆弧槽窗片结构. 通过对槽内电场进行分析, 证明了半圆弧状槽可以有效避免尖锐边界的局部场增强效应. 利用蒙特卡罗随机算法对槽内的次级电子倍增效应进行数值模拟, 跟踪次级电子的轨迹及发展趋势, 获得了不同槽宽所对应的抑制次级电子倍增最低电场强度. 讨论了法向电场对半圆弧槽抑制次级电子倍增的影响. 该结构有望在高功率速调管中获得应用.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号:2013CB328901)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-05-04
  • 修回日期:  2014-07-24
  • 刊出日期:  2014-11-05

刻周期半圆弧槽窗片对次级电子倍增效应的抑制

  • 1. 中国科学院电子学研究所, 中国科学院高功率微波源与技术重点实验室, 北京 100190;
  • 2. 中国科学院大学, 北京 100149
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2013CB328901)资助的课题.

摘要: 为了抑制高功率盒形窗内的次级电子倍增效应, 研究了一种刻周期半圆弧槽窗片结构. 通过对槽内电场进行分析, 证明了半圆弧状槽可以有效避免尖锐边界的局部场增强效应. 利用蒙特卡罗随机算法对槽内的次级电子倍增效应进行数值模拟, 跟踪次级电子的轨迹及发展趋势, 获得了不同槽宽所对应的抑制次级电子倍增最低电场强度. 讨论了法向电场对半圆弧槽抑制次级电子倍增的影响. 该结构有望在高功率速调管中获得应用.

English Abstract

参考文献 (23)

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