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具有poly-Si1-xGex栅的应变SiGep型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究

刘翔宇 胡辉勇 张鹤鸣 宣荣喜 宋建军 舒斌 王斌 王萌

具有poly-Si1-xGex栅的应变SiGep型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究

刘翔宇, 胡辉勇, 张鹤鸣, 宣荣喜, 宋建军, 舒斌, 王斌, 王萌
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-06-25
  • 修回日期:  2014-07-24
  • 刊出日期:  2014-12-05

具有poly-Si1-xGex栅的应变SiGep型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    教育部博士点基金(批准号:JY0300122503)和中央高等学校基本科研基金(批准号:K5051225014,K5051225004)资助的课题.

摘要: 针对具有poly-Si1-xGex栅的应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET), 研究了其垂直电势与电场分布, 建立了考虑栅耗尽的poly-Si1-xGex栅情况下该器件的等效栅氧化层厚度模型, 并利用该模型分析了poly-Si1-xGex栅及应变SiGe层中Ge组分对等效氧化层厚度的影响. 研究了应变SiGe PMOSFET热载流子产生的机理及其对器件性能的影响, 以及引起应变SiGe PMOSFET阈值电压漂移的机理, 并建立了该器件阈值电压漂移模型, 揭示了器件阈值电压漂移随电应力施加时间、栅极电压、poly-Si1-xGex栅及应变SiGe层中Ge组分的变化关系. 并在此基础上进行了实验验证, 在电应力施加10000 s时, 阈值电压漂移0.032 V, 与模拟结果基本一致, 为应变SiGe PMOSFET及相关电路的设计与制造提供了重要的理论与实践基础.

English Abstract

参考文献 (15)

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