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应变(001)p型金属氧化物半导体反型层空穴量子化与电导率有效质量

刘伟峰 宋建军

应变(001)p型金属氧化物半导体反型层空穴量子化与电导率有效质量

刘伟峰, 宋建军
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-07-04
  • 修回日期:  2014-07-29
  • 刊出日期:  2014-12-05

应变(001)p型金属氧化物半导体反型层空穴量子化与电导率有效质量

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    教育部博士点基金(批准号:JY0300122503)和陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2014JQ8329)资助的课题.

摘要: 基于kp微扰理论框架, 研究建立了单轴张/压应变Si, Si基双轴应变p型金属氧化物半导体(PMOS)反型层空穴量子化有效质量与空穴面内电导率有效质量模型. 结果表明: 对于单轴应力PMOS, 选择单轴压应力可有效增强器件的性能; 同等增强PMOS空穴迁移率, 需要施加的单轴力强度小于双轴力的强度; 在选择双轴应力增强器件性能时, 应优先选择应变Si1-xGex作为沟道材料. 所获得的量化理论结论可为Si基及其他应变器件的物理理解及设计提供重要理论参考.

English Abstract

参考文献 (16)

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