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直接带隙Ge1-xSnx本征载流子浓度研究

白敏 宣荣喜 宋建军 张鹤鸣 胡辉勇 舒斌

直接带隙Ge1-xSnx本征载流子浓度研究

白敏, 宣荣喜, 宋建军, 张鹤鸣, 胡辉勇, 舒斌
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-06-25
  • 修回日期:  2014-07-22
  • 刊出日期:  2014-12-05

直接带隙Ge1-xSnx本征载流子浓度研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    教育部博士点基金(批准号:JY0300122503)和陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2014JQ8329)资助的课题.

摘要: 通过合金化改性技术, Ge可由间接带隙半导体转变为直接带隙半导体. 改性后的Ge半导体可同时应用于光子器件和电子器件, 极具发展潜力. 基于直接带隙Ge1-xSnx半导体合金8带Kronig-Penny模型, 重点研究了其导带有效状态密度、价带有效状态密度及本征载流子浓度, 旨在为直接带隙改性Ge半导体物理的理解及相关器件的研究设计提供有价值的参考. 研究结果表明: 直接带隙Ge1-xSnx合金导带有效状态密度随着Sn组分x的增加而明显减小, 价带有效状态密度几乎不随Sn组分变化. 与体Ge半导体相比, 直接带隙Ge1-xSnx合金导带有效状态密度、价带有效状态密度分别低两个和一个数量级; 直接带隙Ge1-xSnx合金本征载流子浓度随着Sn组分的增加而增加, 比体Ge半导体高一个数量级以上.

English Abstract

参考文献 (15)

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