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单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型

吕懿 张鹤鸣 胡辉勇 杨晋勇 殷树娟 周春宇

单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型

吕懿, 张鹤鸣, 胡辉勇, 杨晋勇, 殷树娟, 周春宇
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-08-28
  • 修回日期:  2014-10-27
  • 刊出日期:  2015-03-05

单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071;
  • 2. 北京精密机电控制设备研究所, 北京 100076;
  • 3. 北京信息科技大学理学院, 北京 100192
    基金项目: 

    教育部博士点基金(批准号:JY0300122503)和中央高校基本业务费(批准号:K5051225014, K5051225004) 资助的课题.

摘要: 电容特性模型是单轴应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)和电路进行瞬态分析、交流小信号分析、噪声分析等的重要基础. 本文首先建立了单轴应变Si NMOSFET 的16 个微分电容模型, 并将微分电容的仿真结果与实验结果进行了比较, 验证了所建模型的正确性. 同时对其中的关键性栅电容Cgg 与应力强度、偏置电压、沟道长度、栅极掺杂浓度等的关系进行了分析研究. 结果表明, 与体硅器件相比, 应变的引入使得单轴应变Si NMOSFET器件的栅电容增大, 随偏置电压、沟道长度、栅极掺杂浓度的变化趋势保持不变.

English Abstract

参考文献 (14)

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