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包埋Pt纳米粒子对金属-半导体-金属结构ZnO紫外光电探测器性能的影响

裴佳楠 蒋大勇 田春光 郭泽萱 刘如胜 孙龙 秦杰明 侯建华 赵建勋 梁庆成 高尚

包埋Pt纳米粒子对金属-半导体-金属结构ZnO紫外光电探测器性能的影响

裴佳楠, 蒋大勇, 田春光, 郭泽萱, 刘如胜, 孙龙, 秦杰明, 侯建华, 赵建勋, 梁庆成, 高尚
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  • 利用射频磁控溅射设备制备ZnO薄膜, 最终制备ZnO/Pt纳米粒子/ZnO 结构的金属-半导体-金属型紫外光电探测器. 研究了Pt纳米粒子处在ZnO薄膜层中的不同深度对金属-半导体-金属型紫外光电探测器响应性能的影响. 结果表明, 探测器的响应度随着Pt纳米粒子在ZnO薄膜层中所处深度的增大而升高. 在60 V偏压下, 包埋Pt最深的探测器在波长365 nm处取得响应度最大值1.4 A·W-1, 包埋有Pt探测器的响应度最大值为无Pt 纳米粒子探测器响应度最大值的7倍. 结合对ZnO薄膜表面的表征及探测器各项性能的测试, 得出包埋Pt纳米粒子增强器件的响应性能可归因于表面等离子体增强散射.
    • 基金项目: 吉林省科技发展计划项目(批准号: 201201121, 20120435, 20130204033GX, 20140101052JC)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-09-10
  • 修回日期:  2014-10-18
  • 刊出日期:  2015-03-05

包埋Pt纳米粒子对金属-半导体-金属结构ZnO紫外光电探测器性能的影响

  • 1. 长春理工大学材料科学与工程学院, 长春 130022
    基金项目: 

    吉林省科技发展计划项目(批准号: 201201121, 20120435, 20130204033GX, 20140101052JC)资助的课题.

摘要: 利用射频磁控溅射设备制备ZnO薄膜, 最终制备ZnO/Pt纳米粒子/ZnO 结构的金属-半导体-金属型紫外光电探测器. 研究了Pt纳米粒子处在ZnO薄膜层中的不同深度对金属-半导体-金属型紫外光电探测器响应性能的影响. 结果表明, 探测器的响应度随着Pt纳米粒子在ZnO薄膜层中所处深度的增大而升高. 在60 V偏压下, 包埋Pt最深的探测器在波长365 nm处取得响应度最大值1.4 A·W-1, 包埋有Pt探测器的响应度最大值为无Pt 纳米粒子探测器响应度最大值的7倍. 结合对ZnO薄膜表面的表征及探测器各项性能的测试, 得出包埋Pt纳米粒子增强器件的响应性能可归因于表面等离子体增强散射.

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