搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

高质量稀磁半导体(Ga, Mn)Sb单晶薄膜分子束外延生长

祝梦遥 鲁军 马佳淋 李利霞 王海龙 潘东 赵建华

高质量稀磁半导体(Ga, Mn)Sb单晶薄膜分子束外延生长

祝梦遥, 鲁军, 马佳淋, 李利霞, 王海龙, 潘东, 赵建华
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  900
  • PDF下载量:  247
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2014-10-07
  • 修回日期:  2014-11-18
  • 刊出日期:  2015-04-05

高质量稀磁半导体(Ga, Mn)Sb单晶薄膜分子束外延生长

  • 1. 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室, 北京 100083
    基金项目: 

    国家重点科学研究发展计划项目(批准号: 2015CB921503)和国家自然科学基金重点项目(批准号: 61334006)资助的课题.

摘要: 理论预言窄禁带稀磁半导体(Ga,Mn)Sb及其异质结构可能存在量子反常霍尔效应等新奇特性, 近年来受到了特别关注. 但是, 由于(Ga,Mn)Sb薄膜生长窗口窄, 纯相(Ga,Mn)Sb薄膜制备比较困难, 迄今关于这类材料的研究报道为数不多. 本文采用低温分子束外延的方法, 通过优化生长条件, 成功制备出厚度为10 nm, Mn含量在0.016至0.039之间的多组(Ga,Mn)Sb薄膜样品. 生长过程中反射式高能电子衍射原位监测和磁性测量都表明没有MnSb等杂相的偏析, 同时原子力显微镜图像表明其表面形貌平滑, 粗糙度小. 通过生长后退火处理, (Ga,Mn)Sb薄膜的最高居里温度达到30 K. 此外, 本文研究了霍尔电阻和薄膜电阻随磁场的变化关系, 在低温下观测到明显的反常霍尔效应.

English Abstract

参考文献 (16)

目录

    /

    返回文章
    返回