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NiFe/Pt薄膜中角度相关的逆自旋霍尔效应

韩方彬 张文旭 彭斌 张万里

NiFe/Pt薄膜中角度相关的逆自旋霍尔效应

韩方彬, 张文旭, 彭斌, 张万里
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  • NiFe/Pt双层薄膜样品在铁磁共振时, NiFe磁矩进动所产生的自旋流注入到Pt层中, 由于逆自旋霍尔效应产生直流电压VISHE, 此电压会叠加到NiFe薄膜由于自旋整流效应而产生的电压VSRE 上, 实验测量所得电压为VISHE和VSRE的叠加. 为了区分这两种不同机理对电压的贡献, 本文采取旋转外加静磁场的方法, 通过分析所测电压随磁场角度的变化从而分离出VISHE 的大小. 研究结果表明, 相比于单层NiFe(20 nm)薄膜样品, NiFe(20 nm)/Pt(10 nm)双层膜样品中由于NiFe自旋注入到Pt 中导致铁磁共振线宽增加. 与逆自旋霍尔效应产生的电压相比, 自旋整流效应的贡献较小, 但不可忽略. 本文工作有助于认清铁磁/非磁性金属材料中的自旋相关效应, 并提供了一种准确的分析逆自旋霍尔效应的方法.
      通信作者: 张文旭, xwzhang@uestc.edu.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 61471095)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-07-31
  • 修回日期:  2015-09-06
  • 刊出日期:  2015-12-20

NiFe/Pt薄膜中角度相关的逆自旋霍尔效应

  • 1. 电子科技大学, 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054
  • 通信作者: 张文旭, xwzhang@uestc.edu.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61471095)资助的课题.

摘要: NiFe/Pt双层薄膜样品在铁磁共振时, NiFe磁矩进动所产生的自旋流注入到Pt层中, 由于逆自旋霍尔效应产生直流电压VISHE, 此电压会叠加到NiFe薄膜由于自旋整流效应而产生的电压VSRE 上, 实验测量所得电压为VISHE和VSRE的叠加. 为了区分这两种不同机理对电压的贡献, 本文采取旋转外加静磁场的方法, 通过分析所测电压随磁场角度的变化从而分离出VISHE 的大小. 研究结果表明, 相比于单层NiFe(20 nm)薄膜样品, NiFe(20 nm)/Pt(10 nm)双层膜样品中由于NiFe自旋注入到Pt 中导致铁磁共振线宽增加. 与逆自旋霍尔效应产生的电压相比, 自旋整流效应的贡献较小, 但不可忽略. 本文工作有助于认清铁磁/非磁性金属材料中的自旋相关效应, 并提供了一种准确的分析逆自旋霍尔效应的方法.

English Abstract

参考文献 (31)

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