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畴腐蚀掺镁铌酸锂可调阵列光分束器的研究

佟曼 范天伟 陈云琳

畴腐蚀掺镁铌酸锂可调阵列光分束器的研究

佟曼, 范天伟, 陈云琳
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  • 研究了不同畴腐蚀深度的掺镁铌酸锂二维六角可调阵列光分束器的分数Talbot效应. 对不同Talbot分数 和不同畴腐蚀深度的阵列光分束器Talbot衍射像进行了数值模拟理论研究. 模拟结果表明, Talbot分数 可以改变Talbot衍射像的周期及结构分布, 而畴腐蚀深度可有效调制衍射像的光强分布. 在理论研究的基础上, 设计并制备了具有不同畴腐蚀深度的掺镁铌酸锂二维六角阵列光分束器, 对其在不同Talbot分数 条件下的分数Talbot效应进行了通光实验研究, 实现了畴腐蚀阵列光分束器对近场Talbot衍射光强分布的调制, 实验结果与理论研究结果一致.
      通信作者: 陈云琳, ylchen@bjtu.edu.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 61178052)和教育部博士点基金(批准号: 20130009110008)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-07-03
  • 修回日期:  2015-08-28
  • 刊出日期:  2016-01-05

畴腐蚀掺镁铌酸锂可调阵列光分束器的研究

  • 1. 北京交通大学理学院, 微纳材料及应用研究所, 北京 100044
  • 通信作者: 陈云琳, ylchen@bjtu.edu.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61178052)和教育部博士点基金(批准号: 20130009110008)资助的课题.

摘要: 研究了不同畴腐蚀深度的掺镁铌酸锂二维六角可调阵列光分束器的分数Talbot效应. 对不同Talbot分数 和不同畴腐蚀深度的阵列光分束器Talbot衍射像进行了数值模拟理论研究. 模拟结果表明, Talbot分数 可以改变Talbot衍射像的周期及结构分布, 而畴腐蚀深度可有效调制衍射像的光强分布. 在理论研究的基础上, 设计并制备了具有不同畴腐蚀深度的掺镁铌酸锂二维六角阵列光分束器, 对其在不同Talbot分数 条件下的分数Talbot效应进行了通光实验研究, 实现了畴腐蚀阵列光分束器对近场Talbot衍射光强分布的调制, 实验结果与理论研究结果一致.

English Abstract

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