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(100)Si基应变p型金属氧化物半导体[110]晶向电导率有效质量双椭球模型

宋建军 包文涛 张静 唐昭焕 谭开洲 崔伟 胡辉勇 张鹤鸣

(100)Si基应变p型金属氧化物半导体[110]晶向电导率有效质量双椭球模型

宋建军, 包文涛, 张静, 唐昭焕, 谭开洲, 崔伟, 胡辉勇, 张鹤鸣
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-06-27
  • 修回日期:  2015-09-19
  • 刊出日期:  2016-01-05

(100)Si基应变p型金属氧化物半导体[110]晶向电导率有效质量双椭球模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071;
  • 2. 中电集团24所模拟集成电路重点实验室, 重庆 400060
  • 通信作者: 宋建军, jianjun_79_81@xidian.edu.cn
    基金项目: 

    模拟集成电路重点实验室基金(批准号: P140c090303110c0904)和陕西省自然科学基础研究计划(批准号: 2014JQ8329)资助的课题.

摘要: 利用应变技术和沟道晶向工程技术, 均可有效增强Si基金属氧化物半导体器件的性能. 本文提出了(100) Si p型金属氧化物半导体(PMOS) [110]晶向电导率有效质量双椭球模型, 从理论上解释了Si PMOS [100]晶向沟道空穴迁移率为[110]晶向沟道空穴迁移率1.15倍的原因. 基于(100) Si基应变PMOS反型层E-k关系, 拓展应用该模型, 首先获得了(100) Si基应变PMOS 反型层价带第一子带等能图, 然后给出了(100) Si基应变PMOS器件反型层[110]晶向空穴电导率有效质量模型. 本文的模型方案合理可行, 可为Si 基应变PMOS器件的研究与设计提供有价值的参考.

English Abstract

参考文献 (13)

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