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二次电子分布函数对绝缘壁面稳态鞘层特性的影响

卿绍伟 李梅 李梦杰 周芮 王磊

二次电子分布函数对绝缘壁面稳态鞘层特性的影响

卿绍伟, 李梅, 李梦杰, 周芮, 王磊
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-09-04
  • 修回日期:  2015-10-17
  • 刊出日期:  2016-02-05

二次电子分布函数对绝缘壁面稳态鞘层特性的影响

  • 1. 重庆大学, 动力工程学院, 重庆 400044
  • 通信作者: 卿绍伟, qshaowei@cqu.edu.cn
    基金项目: 

    中央高校基本科研业务费(批准号: CDJZR13140013, 3132014328)资助的课题.

摘要: 由于缺乏详细的理论计算和实验结果, 在研究绝缘壁面稳态流体鞘层特性时, 通常假设壁面出射的总二次电子服从单能分布( 0)、半Maxwellian分布等. 在单能电子轰击壁面的详细二次电子发射模型基础上, 采用Monte Carlo方法统计发现: 当入射电子服从Maxwellian分布时, 绝缘壁面发射的总二次电子服从三温Maxwellian分布. 进而, 采用一维稳态流体鞘层模型进行对比研究, 结果表明: 二次电子分布函数对鞘边离子能量、壁面电势、电势及电子/离子密度分布等均具有明显影响; 总二次电子服从三温Maxwellian分布时, 临界空间电荷饱和鞘层无解, 表明随着壁面总二次电子发射系数的增加, 鞘层直接从经典鞘层结构过渡到反鞘层结构.

English Abstract

参考文献 (22)

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