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超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应

郑齐文 崔江维 王汉宁 周航 余徳昭 魏莹 苏丹丹

超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应

郑齐文, 崔江维, 王汉宁, 周航, 余徳昭, 魏莹, 苏丹丹
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-11-03
  • 修回日期:  2016-01-26
  • 刊出日期:  2016-04-05

超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应

  • 1. 中国科学院新疆理化技术研究所, 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;
  • 2. 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;
  • 3. 中国科学院大学, 北京 100049;
  • 4. 北京微电子技术研究所, 北京 100076
  • 通信作者: 崔江维, cuijw@ms.xjb.ac.cn
    基金项目: 

    中国科学院西部之光项目(批准号: XBBS201219)资助的课题.

摘要: 对0.18 m互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)及静态随机存储器(SRAM)开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究. 结果表明: 在相同累积剂量, SRAM的低剂量率辐照损伤要略大于高剂量率辐照的损伤, 并且低剂量率辐照损伤要远大于高剂量率辐照加与低剂量率辐照时间相同的室温退火后的损伤. 虽然NMOSFET 低剂量率辐照损伤略小于高剂量率辐照损伤, 但室温退火后, 高剂量率辐照损伤同样要远小于低剂量率辐照损伤. 研究结果表明0.18 m CMOS工艺器件的辐射损伤不是时间相关效应. 利用数值模拟的方法提出了解释CMOS器件剂量率效应的理论模型.

English Abstract

参考文献 (16)

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