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BaCrSi4O10与AgGaSe2:Cr2+吸收光谱的精细结构及自旋单态对零场分裂参量的影响

谭晓明 赵刚 张迪

BaCrSi4O10与AgGaSe2:Cr2+吸收光谱的精细结构及自旋单态对零场分裂参量的影响

谭晓明, 赵刚, 张迪
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-01-15
  • 修回日期:  2016-02-22
  • 刊出日期:  2016-05-20

BaCrSi4O10与AgGaSe2:Cr2+吸收光谱的精细结构及自旋单态对零场分裂参量的影响

  • 1. 鲁东大学物理与光电工程学院, 烟台 264025;
  • 2. 鲁东大学交通学院, 烟台 264025
  • 通信作者: 谭晓明, scu_txm@163.com
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:11204121)和山东省自然科学基金(批准号:ZR2011AL021)资助的课题.

摘要: 在强场图像中构造了四角对称环境中Cr2+离子包括自旋单态在内的完全能量矩阵, 通过对角化能量矩阵方法, 计算得到了BaCrSi4O10与AgGaSe2:Cr2+吸收光谱的精细结构及自旋单态对零场分裂参量的影响. 从理论上给出了BaCrSi4O10与AgGaSe2:Cr2+吸收光谱的精细结构及BaCrSi4O10的零场分裂参量值. 计算结果显示自旋单态对零场分裂参量D的影响完全可忽略, 但对a和F的影响比较大. 这种影响主要来自自旋-轨道耦合导致的自旋五重态与自旋三重态和自旋单态的相互作用, 而自旋轨道耦合的选择定则显示自旋单态并非直接影响五重态而是通过自旋三重态间接地影响基态的五重态. 因此, 为了得到准确的零场分裂参量值, 所有的自旋态都应该考虑.

English Abstract

参考文献 (26)

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