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含有AlGaAs插入层的InAs/GaAs三色量子点红外探测器

刘珂 马文全 黄建亮 张艳华 曹玉莲 黄文军 赵成城

含有AlGaAs插入层的InAs/GaAs三色量子点红外探测器

刘珂, 马文全, 黄建亮, 张艳华, 曹玉莲, 黄文军, 赵成城
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-12-31
  • 修回日期:  2016-01-27
  • 刊出日期:  2016-05-20

含有AlGaAs插入层的InAs/GaAs三色量子点红外探测器

  • 1. 中国科学院半导体研究所, 半导体材料科学重点实验室, 北京 100083
  • 通信作者: 马文全, wqma@semi.ac.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61404124,61474106,61176014,61307116,61290303,61321063)、中国博士后科学基金(批准号:2015M570487)和航空科学基金(批准号:20152436002)资助的课题.

摘要: 本文报道了采用分子束外延技术制备的三色InAs/GaAs量子点红外探测器. 器件采用nin型结构, 吸收区结构是在InGaAs量子阱中生长含有AlGaAs插入层的InAs量子点, 器件在77 K下的红外光电流谱有三个峰值: 6.3, 10.2和11 m. 文中分析了它们的跃迁机制, 并且分别进行了指认. 因为有源区采用了不对称结构, 所以器件在外加偏压正负方向不同时, 光电流谱峰值的强度存在一些差异. 不论在正偏压或者负偏压下, 当偏压达到较高值, 再进一步增大偏压时, 都出现了对应于连续态的跃迁峰强度明显下降的现象, 这是由量子点基态与阱外连续态的波函数交叠随着偏压进一步增大而迅速减小导致的.

English Abstract

参考文献 (14)

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