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退火温度和Ga含量对溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管性能的影响

张世玉 喻志农 程锦 吴德龙 栗旭阳 薛唯

退火温度和Ga含量对溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管性能的影响

张世玉, 喻志农, 程锦, 吴德龙, 栗旭阳, 薛唯
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-01-20
  • 修回日期:  2016-03-22
  • 刊出日期:  2016-06-05

退火温度和Ga含量对溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管性能的影响

  • 1. 北京理工大学光电学院, 薄膜与显示实验室, 北京 100081
  • 通信作者: 喻志农, znyu@bit.edu.cn
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号: 2014CB643600)资助的课题.

摘要: 采用溶液法在玻璃衬底上制备InGaZnO薄膜, 并以InGaZnO为沟道层制备底栅顶接触型薄膜晶体管, 研究了退火温度和Ga含量对InGaZnO薄膜和晶体管电学性能的影响. 研究表明, 退火可以明显改善溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管的电学性能. 退火温度的升高会导致薄膜晶体管阈值电压的负向漂移, 并且饱和迁移率和电流开关比增大. X射线光电子能谱测量表明, 随退火温度的增加, InGaZnO薄膜表面吸附氧减少, 沟道层中氧空位增多导致电子浓度增大. 退火温度为380 ℃时, 晶体管获得最佳性能. 饱和迁移率随Ga含量的增加而减小. In:Ga:Zn 摩尔比为5:1.3:2时, 晶体管达到最佳性能: 饱和迁移率为0.43 cm2/(Vs), 阈值电压为1.22 V, 开关电流比为4.7104, 亚阈值摆幅为0.78 V/decade.

English Abstract

参考文献 (18)

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