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三维a-IGZO薄膜中的电子-电子散射

张辉 杨洋 李志青

三维a-IGZO薄膜中的电子-电子散射

张辉, 杨洋, 李志青
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-06-03
  • 修回日期:  2016-06-13
  • 刊出日期:  2016-08-05

三维a-IGZO薄膜中的电子-电子散射

  • 1. 天津大学理学院, 天津市低维材料物理与制备技术重点实验室, 天津 300350
  • 通信作者: 李志青, zhiqingli@tju.edu.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:11174216)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20120032110065)资助的课题.

摘要: 本文利用射频磁控溅射法制备了一系列厚度约800 nm的非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜,并对其电输运性质和低温的电子退相干机理进行了系统的研究. 研究发现,所有a-IGZO薄膜中,载流子浓度均不随温度变化,高温区的电阻率-温度系数为正,说明样品具有类金属导电特性. 通过对薄膜低温磁电阻的测量,获得了电子退相干散射率与温度的关系. 分析表明,薄膜中的电子-声子散射率远小于小能量转移电子-电子散射率,小能量转移电子-电子散射率主导电子退相干散射率与温度的依赖关系.

English Abstract

参考文献 (31)

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