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频率对半导体器件热击穿影响的理论模型

张存波 闫涛 杨志强 任伟涛 朱占平

频率对半导体器件热击穿影响的理论模型

张存波, 闫涛, 杨志强, 任伟涛, 朱占平
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  • 针对半导体器件中的热击穿,通过分析已有的理论模型,把频率对器件热区热产生和热传导的影响引入理论模型.利用格林函数求解热传输方程,同时对余误差函数进行近似处理,求解得到热区温度以及器件烧毁功率与频率和脉冲宽度的表达式.通过数值分析,求解得到不同频率下器件烧毁功率随脉冲宽度的变化规律以及不同脉冲宽度下器件烧毁功率随频率的变化规律,同时给出了频率对器件烧毁功率影响的物理解释.
      通信作者: 张存波, zhangcunbo@nint.ac.cn
    [1]

    Alexander D R 1978 IEEE Trans. Comp. Hybr. and Manufact. Technol. 1 345

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    Khurana B S, Sugano T, Yanai H 1966 IEEE Trans. Electron Dev. ED-13 763

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    Wunsch D C, Bell R R 1968 IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-15 244

    [4]

    Tasca D M 1970 IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-17 346

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    Arkihpov V I, Astvatsaturyan E R, Godovosyn V I, Rudenko A I 1983 Int. J. Electron. 55 395

    [6]

    Dwyer V M, Franklin A J, Campbell D S 1989 Solid State Electron. 33 553

    [7]

    Franklin A J, Dwyer V M, Campbell D S 1990 Solid-State Electron. 33 1055

    [8]

    Choi H H, DeMassa T A 1995 Solid-State Electron. 38 939

    [9]

    Ma Z Y, Chai C C, Ren X R, Yang Y T, Chen B, Song K, Zhao Y B 2012 Chin. Phys. B 21 098502

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    Choi H H, DeMassa T A 1995 Solid-State Electron. 38 939

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    Ma Z Y, Chai C C, Ren X R, Yang Y T, Chen B, Song K, Zhao Y B 2012 Chin. Phys. B 21 098502

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出版历程
  • 收稿日期:  2016-08-19
  • 修回日期:  2016-09-03
  • 刊出日期:  2017-01-05

频率对半导体器件热击穿影响的理论模型

  • 1. 西北核技术研究所, 高功率微波技术重点实验室, 西安 710024
  • 通信作者: 张存波, zhangcunbo@nint.ac.cn

摘要: 针对半导体器件中的热击穿,通过分析已有的理论模型,把频率对器件热区热产生和热传导的影响引入理论模型.利用格林函数求解热传输方程,同时对余误差函数进行近似处理,求解得到热区温度以及器件烧毁功率与频率和脉冲宽度的表达式.通过数值分析,求解得到不同频率下器件烧毁功率随脉冲宽度的变化规律以及不同脉冲宽度下器件烧毁功率随频率的变化规律,同时给出了频率对器件烧毁功率影响的物理解释.

English Abstract

参考文献 (9)

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