搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

空位缺陷对-AgVO3电子结构和光吸收性能的影响

任超 李秀燕 落全伟 刘瑞萍 杨致 徐利春

空位缺陷对-AgVO3电子结构和光吸收性能的影响

任超, 李秀燕, 落全伟, 刘瑞萍, 杨致, 徐利春
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  864
  • PDF下载量:  183
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2017-03-18
  • 修回日期:  2017-05-15
  • 刊出日期:  2017-08-05

空位缺陷对-AgVO3电子结构和光吸收性能的影响

  • 1. 太原理工大学物理与光电工程学院, 晋中 030600
  • 通信作者: 李秀燕, lixiuyan@tyut.edu.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:U1510132,51401142,11604235)和山西省自然科学基金(批准号:2015021027,2016021030)资助的课题.

摘要: 基于密度泛函的第一性原理研究了Ag空位、O空位和Ag-O双空位对-AgVO3的电子结构及光学性质的影响.采用广义梯度近似平面波超软赝势GGA+U方法,对不同缺陷体系的形成能、能带结构、电子态密度、差分电荷密度和吸收光谱进行了计算和分析.通过比较不同Ag空位和O空位的形成能,确定了-AgVO3中主要形成Ag3空位和O1空位,并且Ag空位较O空位更容易形成.Ag3空位和O1空位的存在都使得-AgVO3带隙有一定程度的减小;Ag3空位使-AgVO3呈现p-型半导体性质,而O1空位和Ag3-O1双空位使-AgVO3呈现n-型半导体性质.Ag3和O1空位对晶体在可见光范围内的光吸收影响较小.

English Abstract

参考文献 (17)

目录

    /

    返回文章
    返回