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氧空位迁移造成的氧化物介质层时变击穿的蒙特卡罗模拟

栗苹 许玉堂

氧空位迁移造成的氧化物介质层时变击穿的蒙特卡罗模拟

栗苹, 许玉堂
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出版历程
  • 收稿日期:  2017-05-19
  • 修回日期:  2017-07-03
  • 刊出日期:  2017-11-05

氧空位迁移造成的氧化物介质层时变击穿的蒙特卡罗模拟

  • 1. 北京理工大学机电学院, 北京 100081
  • 通信作者: 许玉堂, xytang@foxmail.com

摘要: 基于氧空位在金属氧化物内部迁移的微观机理,利用蒙特卡罗方法建立了一种新型的可模拟金属氧化物介质时变击穿的模拟工具.利用建立的模拟工具研究了界面形成氧空位迁移功函数对介质层击穿行为的影响.该工具可应用于金属氧化物半导体晶体管栅介质击穿研究并准确评估其可靠性.

English Abstract

参考文献 (8)

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