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单靶溅射制备铜锌锡硫薄膜及原位退火研究

赵其琛 郝瑞亭 刘思佳 刘欣星 常发冉 杨敏 陆熠磊 王书荣

单靶溅射制备铜锌锡硫薄膜及原位退火研究

赵其琛, 郝瑞亭, 刘思佳, 刘欣星, 常发冉, 杨敏, 陆熠磊, 王书荣
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  • 采用衬底加热溅射铜锌锡硫(CZTS)四元化合物单靶制备CZTS薄膜,并研究原位退火对制备薄膜的影响.结果表明:在溅射结束后快速升温并保持一段时间,所得到的样品相比于未原位退火的CZTS薄膜结晶质量更好,且表面更平整致密;原位退火后的CZTS薄膜太阳电池性能参数也相应地有所提升,其开路电压(Voc)为575 mV,短路电流密度(Jsc)为8.32 mA/cm2,光电转换效率达到1.82%.
      通信作者: 郝瑞亭, ruitinghao@semi.ac.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:61774130,11474248,61176127,61006085)、国际科技合作重点项目(批准号:2011DFA62380)和教育部博士点基金(批准号:20105303120002)资助的课题.
    [1]

    Jiang M L, Yan X Z 2013 Sol. Cells Res. Appl. Prospect.5 107

    [2]

    Liu H, Xue Y M, Qiao Z X, Li W, Zhang C, Yin F H, Feng S J 2015 Acta Phys. Sin. 64 068801 (in Chinese) [刘浩, 薛玉明, 乔在祥, 李微, 张超, 尹富红, 冯少君 2015 物理学报 64 068801]

    [3]

    Yan C, Chen J, Liu F Y 2014 J. Alloy. Compod. 610 486

    [4]

    Wang W, Winkler M T 2014 Energy Mater. 4 7

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    Kato T, Hiroi H, Sakai N 2012 Proceedings of the 27th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition Frankfurt, Germany 2236

    [6]

    Liu F F, He Q, Zhou Z Q, Sun Y 2014 Acta Phys. Sin.63 067203 (in Chinese) [刘芳芳, 何青, 周志强, 孙云 2014 物理学报 63 067203]

    [7]

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    [8]

    Mao Q N, Zhang X Y, Li X G, He J X, Yu P R, Wang D 2014 Acta Phys. Sin. 63 118802 (in Chinese) [毛启楠, 张晓勇, 李学耕, 贺劲鑫, 于平荣, 王东 2014 物理学报 63 118802]

    [9]

    Brammertz G, Buffière M, Oueslati S 2013 Appl. Phys. Lett. 103 163904

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    Katagiri H, Jimbo K, Maw W S 2009 Thin Solid Films 517 2455

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    Xie M, Zhuang D, Zhao M, Li B J, Cao M J, Song J 2014 Vacuum 101 146

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    He J, Sun L, Chen Y, Jiang J C, Yang P X, Chu J H 2014 RSC Adv. 4 43080

    [13]

    Jo Y H, Mohanty B C, Yeon D H 2015 Sol. Energy Mater. Sol. Cells 132 136

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    Nakamura R, Kunihiko T, Hisao U 2014 Jpn. J. Appl. Phys. 53 02BC10

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    Lin Y P, Chi Y F, Hsieh T E 2016 J. Alloy. Compod. 654 498

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    Shi G, Li Y J, Zuo S H, Jiang J C, Hu G J, Chu J H 2011 Infrared Millim. Waves. 30 1001

    [17]

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    [18]

    Ericson T, Kubart T, Scragg J J 2012 Thin Solid Films 520 7093

    [19]

    Gurel T, Sevik C, Ça G 2011 Phys. Rev. B: Condens. 84 896

    [20]

    Tanaka T, Kawasaki D 2016 Phys. Status Solidi Topics 36 67

    [21]

    Chalapathi U, Jayasree Y, Uthana S, Sundara R V 2015 Vacuum 117 121

    [22]

    Katagiri H, Jimbo K 2011 IEEE Photovolt. Spec. Conf. 23 003516

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    Tanaka K, Fukui Y, Moritake N, Uchiki H 2011 Sol.Energy Mater. Sol. Cells 95 838

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    Chen S Y, Wang L W, Walsh A 2012 Appl. Phys. 101 223901

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    [26]

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    [28]

    Zhang J, Long B, Cheng S Y 2013 Int. J. Photoenergy ID 986076 1

    [29]

    Vipul K, Patel K K, Patel S J 2013 J. Crystal Growth 362 174

    [30]

    Li J, Wang H, Luo M 2016 Sol. Energy Mater. Sol. Cells 149 242

    [31]

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    [32]

    Sun K W, Su Z H, Han Z L, Liu F Y, Lai T Q, Li J, Liu Y X 2014 Acta Phys. Sin. 63 018801 (in Chinese) [孙凯文, 苏正华, 韩自力, 刘芳洋, 赖延清, 李劼, 刘业翔 2014 物理学报 63 018801]

    [33]

    Kong F T, Gunawan O, Kuwahara M 2016 Sol. Energy Mater. Sol. Cells 6 184

  • [1]

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    Sun K W, Su Z H, Han Z L, Liu F Y, Lai T Q, Li J, Liu Y X 2014 Acta Phys. Sin. 63 018801 (in Chinese) [孙凯文, 苏正华, 韩自力, 刘芳洋, 赖延清, 李劼, 刘业翔 2014 物理学报 63 018801]

    [33]

    Kong F T, Gunawan O, Kuwahara M 2016 Sol. Energy Mater. Sol. Cells 6 184

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出版历程
  • 收稿日期:  2017-05-25
  • 修回日期:  2017-07-04
  • 刊出日期:  2017-11-05

单靶溅射制备铜锌锡硫薄膜及原位退火研究

  • 1. 云南师范大学太阳能研究所, 可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室, 云南省农村能源工程重点实验室, 昆明 650500
  • 通信作者: 郝瑞亭, ruitinghao@semi.ac.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61774130,11474248,61176127,61006085)、国际科技合作重点项目(批准号:2011DFA62380)和教育部博士点基金(批准号:20105303120002)资助的课题.

摘要: 采用衬底加热溅射铜锌锡硫(CZTS)四元化合物单靶制备CZTS薄膜,并研究原位退火对制备薄膜的影响.结果表明:在溅射结束后快速升温并保持一段时间,所得到的样品相比于未原位退火的CZTS薄膜结晶质量更好,且表面更平整致密;原位退火后的CZTS薄膜太阳电池性能参数也相应地有所提升,其开路电压(Voc)为575 mV,短路电流密度(Jsc)为8.32 mA/cm2,光电转换效率达到1.82%.

English Abstract

参考文献 (33)

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