高速850 nm垂直腔面发射激光器的优化设计与外延生长

周广正; 尧舜; 于洪岩; 吕朝晨; 王青; 周天宝; 李颖; 兰天; 夏宇; 郎陆广; 程立文; 董国亮; 康联鸿; 王智勇

doi:10.7498/aps.67.20172550

摘要

利用传输矩阵理论和TFCalc薄膜设计软件分析了分布布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器（VCSEL）的反射率谱特性，对比了从谐振腔入射与从表面入射时反射率谱的差异，为白光反射谱表征VCSEL外延片提供了依据.利用Crosslight软件模拟了InGaAs/AlGaAs应变量子阱的增益谱随温度的变化特性及VCSEL器件内部温度分布，设计了增益-腔模调谐的VCSEL.采用金属有机物化学气相淀积设备外延生长了顶发射VCSEL，制作了氧化孔径为7.5 m的氧化限制型VCSEL器件，测试了器件的直流特性、光谱特性和眼图特性；6 mA，2.5 V偏置条件下输出光功率达5 mW，4级脉冲幅度调制传输速率达50 Gbit/s.

关键词:

作者及机构信息

1.
北京工业大学激光工程研究院, 北京 100124;

2.
华芯半导体科技有限公司, 泰州 225599;

3.
扬州大学物理科学与技术学院, 扬州 225002

通信作者: 尧舜, yaoshun_bjut@126.com

参考文献

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高速850 nm垂直腔面发射激光器的优化设计与外延生长

摘要

作者及机构信息

1.
北京工业大学激光工程研究院, 北京 100124;

2.
华芯半导体科技有限公司, 泰州 225599;

3.
扬州大学物理科学与技术学院, 扬州 225002

通信作者: 尧舜, yaoshun_bjut@126.com

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高速850 nm垂直腔面发射激光器的优化设计与外延生长

通信作者: 尧舜, yaoshun_bjut@126.com

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Optimized design and epitaxy growth of high speed 850 nm vertical-cavity surface-emitting lasers

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1. 北京工业大学激光工程研究院, 北京 100124; 2. 华芯半导体科技有限公司, 泰州 225599; 3. 扬州大学物理科学与技术学院, 扬州 225002

通信作者: 尧舜, yaoshun_bjut@126.com

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高速850 nm垂直腔面发射激光器的优化设计与外延生长

通信作者: 尧舜, yaoshun_bjut@126.com

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Optimized design and epitaxy growth of high speed 850 nm vertical-cavity surface-emitting lasers

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