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忆阻器、忆容器和忆感器的Simulink建模及其特性分析

王晓媛 俞军 王光义

忆阻器、忆容器和忆感器的Simulink建模及其特性分析

王晓媛, 俞军, 王光义
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  • 忆阻器、忆容器和忆感器均是具有记忆特性的新型非线性电路元件,也被称为记忆元件.以三种电路元件的通用数学模型为依据,从数学分析的角度,对忆阻器、忆容器和忆感器的Simulink模型进行了建立.在Simulink模型中体现了记忆元件对历史状态和系统状态变量的依赖性,正确表现出其独特的记忆特性.通过一系列仿真分析,得到了忆阻器、忆容器和忆感器的元件特性,验证了模型的有效性.此外,通过对三者在不同参数、不同激励下的电路特性分析,得到了三种记忆元件等效模型随频率和幅值变化的规律,为以后忆阻器、忆容器和忆感器基于Simulink的仿真研究和应用研究奠定基础.
      通信作者: 王晓媛, youyuan-0213@163.com
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:61401134,61771176)和浙江省国家自然科学基金(批准号:LY18F010012)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2017-12-17
  • 修回日期:  2018-02-18
  • 刊出日期:  2018-05-05

忆阻器、忆容器和忆感器的Simulink建模及其特性分析

  • 1. 杭州电子科技大学, 现代电路与智能信息研究所, 杭州 310018
  • 通信作者: 王晓媛, youyuan-0213@163.com
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61401134,61771176)和浙江省国家自然科学基金(批准号:LY18F010012)资助的课题.

摘要: 忆阻器、忆容器和忆感器均是具有记忆特性的新型非线性电路元件,也被称为记忆元件.以三种电路元件的通用数学模型为依据,从数学分析的角度,对忆阻器、忆容器和忆感器的Simulink模型进行了建立.在Simulink模型中体现了记忆元件对历史状态和系统状态变量的依赖性,正确表现出其独特的记忆特性.通过一系列仿真分析,得到了忆阻器、忆容器和忆感器的元件特性,验证了模型的有效性.此外,通过对三者在不同参数、不同激励下的电路特性分析,得到了三种记忆元件等效模型随频率和幅值变化的规律,为以后忆阻器、忆容器和忆感器基于Simulink的仿真研究和应用研究奠定基础.

English Abstract

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