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金纳米结构表面二次电子发射特性

王丹 贺永宁 叶鸣 崔万照

金纳米结构表面二次电子发射特性

王丹, 贺永宁, 叶鸣, 崔万照
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  • 使用低气压蒸发工艺制备了金纳米结构,研究了金纳米结构的二次电子发射特性及其对表面形貌的依赖规律,表征了金纳米结构表面出射二次电子能量分布.实验结果表明:蒸发气压升高时,金纳米结构孔隙率增大,表面电子出射产额降低;能量分布表明金纳米结构仅对低能真二次电子有明显抑制作用,对背散射电子的作用效果则依赖于表面形貌.使用由半球和沟槽构成的复合结构,并结合二次电子发射唯象概率模型,对金纳米结构进行模型等效及电子发射特性仿真,模拟结果表明:纳米结构中的半球状纳米颗粒对两种电子产额均有增强作用;沟槽对真二次电子产额有强抑制作用,而对背散射电子产额仅有微弱抑制作用.本工作深入研究了金纳米结构表面电子发射机理,对于开发空间微波系统中纳米级低电子产额表面有重要参考价值.
      通信作者: 贺永宁, yongning@mail.xjtu.edu.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:U1537211,61501364)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2018-01-11
  • 修回日期:  2018-02-02
  • 刊出日期:  2019-04-20

金纳米结构表面二次电子发射特性

  • 1. 西安交通大学微电子学院, 西安 710049;
  • 2. 中国空间技术研究院西安分院, 空间微波技术国防科技重点实验室, 西安 710100
  • 通信作者: 贺永宁, yongning@mail.xjtu.edu.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:U1537211,61501364)资助的课题.

摘要: 使用低气压蒸发工艺制备了金纳米结构,研究了金纳米结构的二次电子发射特性及其对表面形貌的依赖规律,表征了金纳米结构表面出射二次电子能量分布.实验结果表明:蒸发气压升高时,金纳米结构孔隙率增大,表面电子出射产额降低;能量分布表明金纳米结构仅对低能真二次电子有明显抑制作用,对背散射电子的作用效果则依赖于表面形貌.使用由半球和沟槽构成的复合结构,并结合二次电子发射唯象概率模型,对金纳米结构进行模型等效及电子发射特性仿真,模拟结果表明:纳米结构中的半球状纳米颗粒对两种电子产额均有增强作用;沟槽对真二次电子产额有强抑制作用,而对背散射电子产额仅有微弱抑制作用.本工作深入研究了金纳米结构表面电子发射机理,对于开发空间微波系统中纳米级低电子产额表面有重要参考价值.

English Abstract

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