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半导体自组织量子点量子发光机理与器件

尚向军 马奔 陈泽升 喻颖 查国伟 倪海桥 牛智川

半导体自组织量子点量子发光机理与器件

尚向军, 马奔, 陈泽升, 喻颖, 查国伟, 倪海桥, 牛智川
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  • 介绍了自组织量子点单光子发光机理及器件研究进展.主要内容包括:半导体液滴自催化外延GaAs纳米线中InAs量子点和GaAs量子点的单光子发光效应、自组织InAs/GaAs量子点与分布布拉格平面微腔耦合结构的单光子发光效应和器件制备,单量子点发光的共振荧光测量方法、量子点单光子参量下转换实现的纠缠光子发射、单光子的量子存储效应以及量子点单光子发光的光纤耦合输出芯片制备等.
      通信作者: 牛智川, zcniu@semi.ac.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:91321313,90921015,61505196)资助的课题.
    [1]

    Dou X M, Chang X Y, Sun B Q, Xiong Y H, Niu Z C, Huang S S, Ni H Q, Du Y, Xia J B 2008 Appl. Phys. Lett. 93 101107

    [2]

    Ding X, He Y, Duan Z C, Gregersen N, Chen M C, Unsleber S, Maier S, Schneider C, Kamp M, Hofling S, Lu C Y, Pan J W 2016 Phys. Rev. Lett. 116 020401

    [3]

    Heindel T, Schneider C, Lermer M, Kwon S H, Braun T, Reitzenstein S, Höfling S, Kamp M, Forchel A 2010 Appl. Phys. Lett. 96 011107

    [4]

    Hargart F, Kessler C A, Schwarzbäck T, Koroknay E, Weidenfeld S, Jetter M, Michler P 2013 Appl. Phys. Lett. 102 011126

    [5]

    Muller M, Bounouar S, Jons K D, Glassl M, Michler P 2014 Nat. Photon. 8 224

    [6]

    Wang H, Duan Z C, Li Y H, Chen S, Li J P, He Y M, Chen M C, He Y, Ding X, Peng C Z, Schneider C, Kamp M, Hofling S, Lu C Y, Pan J W 2016 Phys. Rev. Lett. 116 213601

    [7]

    He Y, He Y M, Wei Y J, Jiang X, Chen M C, Xiong F L, Zhao Y, Schneider C, Kamp M, Hofling S, Lu C Y, Pan J W 2013 Phys. Rev. Lett. 111 237403

    [8]

    Keil R, Zopf M, Chen Y, Hofer B, Zhang J X, Ding F, Schmidt O G 2017 Nat. Comm. 8 15501

    [9]

    Chen Y, Zhang J X, Zopf M, Jung K, Zhang Y, Keil R, Ding F, Schmidt O G 2016 Nat. Comm. 7 10387

    [10]

    Chen Z S, Ma B, Shang X J, Ni H Q, Wang J L, Niu Z C 2017 Nanoscale Research Lett. 12 378

    [11]

    Ma B, Chen Z S, Wei S H, Shang X J, Ni H Q, Niu Z C 2017 Appl. Phys. Lett. 110 142104

    [12]

    Zha G W, Shang X J, Su D, Yu Y, Wei B, Wang L, Li M F, Wang L J, Xu J X, Ni H Q, Ji Y, Sun B Q, Niu Z C 2014 Nanoscale 6 3190

    [13]

    Yu Y, Li M F, He J F, He Y M, Wei Y J, He Y, Zha G W, Shang X J, Wang J, Wang G W, Ni H Q, Lu C Y, Niu Z C 2013 Nano Lett. 13 1399

    [14]

    Yu Y, Dou X M, Wei B, Zha G W, Shang X J, Wang L, Su D, Xu J X, Wang H Y, Ni H Q, Sun B Q, Ji Y, Han X D, Niu Z C 2014 Adv. Mater. 26 2710

    [15]

    Zha G W, Shang X J, Ni H Q, Yu Y, Xu J X, Wei S H, Ma B, Zhang L C, Niu Z C 2015 Nanotechnology 26 385706

    [16]

    Tang J S, Zhou Z Q, Wang Y T, Li Y L, Liu X, Hua Y L, Zou Y, Wang S, He D Y, Chen G, Sun Y N, Yu Y, Li M F, Zha G W, Ni H Q, Niu Z C, Li C F, Guo G C 2015 Nat. Comm. 6 8652

    [17]

    Konthasinghe K, Peiris M, Yu Y, Li M F, He J F, Wang L J, Ni H Q, Niu Z C, Shih C K, Muller A 2012 Phys. Rev. Lett. 109 267402

    [18]

    Konthasinghe K, Walker J, Peiris M, Shih C K, Yu Y, Li M F, He J F, Wang L J, Ni H Q, Niu Z C, Muller A 2012 Phys. Rev. B 85 235315

    [19]

    Peiris M, Konthasinghe K, Yu Y, Niu Z C, Muller A 2014 Phys. Rev. B 89 155305

    [20]

    Chen G, Zou Y, Xu X Y, Tang J S, Li Y L, Xu J S, Han Y J, Li C F, Guo G C, Ni H Q, Yu Y, Li M F, Zha G W, Niu Z C, Kedem Y 2014 Phys. Rev. X 4 021043

    [21]

    Chen G, Zou Y, Zhang W H, Zhang Z H, Zhou Z Q, He D Y, Tang J S, Liu B H, Yu Y, Zha G W, Ni H Q, Niu Z C, Han Y J, Li C F, Guo G C 2016 Sci. Rep. 6 26680

    [22]

    Shang X J, Xu J X, Ma B, Chen Z S, Wei S H, Li M F, Zha G W, Zhang L C, Yu Y, Ni H Q, Niu Z C 2016 Chin. Phys. B 25 107805

    [23]

    Zhou P Y, Dou X M, Wu X F, Ding K, Li M F, Ni H Q, Niu Z C, Jiang D S, Sun B Q 2014 Sci. Rep. 4 3633

    [24]

    Michler P, Kiraz A, Zhang L, Becher C, Hu E, Imamoglu A 2000 Appl. Phys. Lett. 77 184

  • [1]

    Dou X M, Chang X Y, Sun B Q, Xiong Y H, Niu Z C, Huang S S, Ni H Q, Du Y, Xia J B 2008 Appl. Phys. Lett. 93 101107

    [2]

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    [17]

    Konthasinghe K, Peiris M, Yu Y, Li M F, He J F, Wang L J, Ni H Q, Niu Z C, Shih C K, Muller A 2012 Phys. Rev. Lett. 109 267402

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    Konthasinghe K, Walker J, Peiris M, Shih C K, Yu Y, Li M F, He J F, Wang L J, Ni H Q, Niu Z C, Muller A 2012 Phys. Rev. B 85 235315

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    Peiris M, Konthasinghe K, Yu Y, Niu Z C, Muller A 2014 Phys. Rev. B 89 155305

    [20]

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    [21]

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出版历程
  • 收稿日期:  2018-04-03
  • 修回日期:  2018-07-28
  • 刊出日期:  2018-11-20

半导体自组织量子点量子发光机理与器件

  • 1. 中国科学院半导体研究所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 100083;
  • 2. 中国科学院大学材料科学与光电技术学院, 北京 100049
  • 通信作者: 牛智川, zcniu@semi.ac.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:91321313,90921015,61505196)资助的课题.

摘要: 介绍了自组织量子点单光子发光机理及器件研究进展.主要内容包括:半导体液滴自催化外延GaAs纳米线中InAs量子点和GaAs量子点的单光子发光效应、自组织InAs/GaAs量子点与分布布拉格平面微腔耦合结构的单光子发光效应和器件制备,单量子点发光的共振荧光测量方法、量子点单光子参量下转换实现的纠缠光子发射、单光子的量子存储效应以及量子点单光子发光的光纤耦合输出芯片制备等.

English Abstract

参考文献 (24)

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