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InAs/GaSb量子阱中太赫兹光电导特性

魏相飞 何锐 张刚 刘向远

InAs/GaSb量子阱中太赫兹光电导特性

魏相飞, 何锐, 张刚, 刘向远
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出版历程
  • 收稿日期:  2018-04-22
  • 修回日期:  2018-06-19
  • 刊出日期:  2019-09-20

InAs/GaSb量子阱中太赫兹光电导特性

  • 1. 皖西学院电气与光电工程学院, 六安 237012
  • 通信作者: 魏相飞, flyxfwei@sina.com
    基金项目: 

    安徽省自然科学基金(批准号:1408085QA13)、安徽省教育厅重点项目(批准号:KJ2017A406,KJ2017A401,KJ2016A749)和皖西学院产学研项目资助的课题.

摘要: 太赫兹技术由于具有重大的科学价值及应用前景而引起了广泛关注,其核心问题是性能优异的室温太赫兹辐射源和探测器研究.本文用半经典的玻尔兹曼方程方法研究了InAs/GaSb量子阱系统中载流子对电磁场的响应,运用平衡方程方法求解玻尔兹曼方程得到了量子阱系统中的光电导,系统地研究了量子阱结构对光电导的影响,揭示了在该量子阱系统中光电导产生的物理机制.研究发现,量子阱结构主要通过调节载流子的能级、浓度和波函数的耦合影响光电导,对称性较好的量子阱结构(8 nm-8 nm)的光电导信号更强,其峰值落在太赫兹区(0.2 THz),并且在低温下器件的性能较好,温度升高则吸收峰略有降低,且光电导峰值发生红移.研究结果表明该量子阱系统可以用作室温太赫兹光电器件.

English Abstract

参考文献 (24)

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