搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

GaN基薄膜半导体材料不同非线性效应的竞争关系

廖健宏 曾群 袁茂辉

GaN基薄膜半导体材料不同非线性效应的竞争关系

廖健宏, 曾群, 袁茂辉
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  572
  • PDF下载量:  9
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2018-07-11
  • 修回日期:  2018-10-15
  • 刊出日期:  2018-12-05

GaN基薄膜半导体材料不同非线性效应的竞争关系

  • 1. 华南师范大学信息光电子科技学院, 广州市特种光纤光子器件重点实验室, 广州 510006;
  • 2. 国防科技大学前沿交叉学科学院, 长沙 410073

摘要: 采用金属有机化合物化学气相沉积方法生长了未掺杂GaN,p型Mg掺杂GaN,InGaN/GaN多量子阱等薄膜半导体材料,研究了其在800 nm飞秒激光激发下的非线性光学性质.实验结果表明,在800 nm飞秒激光激发下,多光子荧光、二次谐波等非线性光学信号之间存在着竞争关系,反映出不同非线性光学信号对激发光的能量分配存在着竞争,并通过其非线性光学信号强度与激发强度之间的依赖关系进行了验证.同时,本文对其竞争机理进行了初步探究.

English Abstract

参考文献 (22)

目录

    /

    返回文章
    返回