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InAs/GaAs量子点1.3 μm单光子发射特性

张志伟 赵翠兰 孙宝权

InAs/GaAs量子点1.3 μm单光子发射特性

张志伟, 赵翠兰, 孙宝权
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出版历程
  • 收稿日期:  2018-08-24
  • 修回日期:  2018-09-26

InAs/GaAs量子点1.3 μm单光子发射特性

  • 1. 内蒙古民族大学物理与电子信息学院, 通辽 028043;
  • 2. 中国科学院半导体研究所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:11464034)和内蒙古自治区自然科学基金(批准号:2016MS0119)资助的课题.

摘要: 采用双层耦合量子点的分子束外延生长技术生长了InAs/GaAs量子点样品,把量子点的发光波长成功地拓展到1.3 μm.采用光刻的工艺制备了直径为3 μm的柱状微腔,提高了量子点荧光的提取效率.在低温5 K下,测量得到量子点激子的荧光寿命约为1 ns;单量子点荧光二阶关联函数为0.015,显示单量子点荧光具有非常好的单光子特性;利用迈克耳孙干涉装置测量得到单光子的相干时间为22 ps,对应的谱线半高全宽度为30 μeV,且荧光谱线的线型为非均匀展宽的高斯线型.

English Abstract

参考文献 (19)

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