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CoSi电子结构第一性原理研究

潘志军 张澜庭 吴建生

CoSi电子结构第一性原理研究

潘志军, 张澜庭, 吴建生
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-05-11
  • 修回日期:  2004-06-13
  • 刊出日期:  2005-01-19

CoSi电子结构第一性原理研究

  • 1. 上海交通大学材料科学与工程学院教育部高温材料及测试开放实验室,上海 200030
    基金项目: 

    上海市应用材料研究与发展基金(批准号:0317),国家自然科学基金 (批准号:59902003) 资助的课题.

摘要: 采用基于第一性原理的密度泛函理论全势线性扩展平面波法,首先对CoSi的晶胞参数进行优化计算,CoSi多粒子系统的最低能量为-134684297Ry,此时其晶胞处于最稳态,与最稳态对应的晶胞体积V0等于5899360a.u.3,晶胞参数为a=b=c=04438nm;然后计算了优化后的CoSi的电子结构及Si侧Al掺杂的CoSi075Al025的电子结构并分析了两者的电子结构特征,计算的CoSi电子能态密度与已有的计算结果整体形貌相同,但存在局部差异,Al掺杂后费米面发生了偏移;最后探讨了两者的电子结构对热电性能的影响,Al掺杂可提高CoSi的材料参数B,因此有望提高其热电性能.

English Abstract

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