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Ti1-xCoxO2铁磁性半导体薄膜研究

宋红强 陈延学 任妙娟 季 刚

Ti1-xCoxO2铁磁性半导体薄膜研究

宋红强, 陈延学, 任妙娟, 季 刚
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-12-23
  • 修回日期:  2004-06-09
  • 刊出日期:  2005-01-19

Ti1-xCoxO2铁磁性半导体薄膜研究

  • 1. 山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室,济南 250100
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50171036,10234010)和国家重点基础研究发展计划(批准号:973011CB610603)资助的课题.

摘要: 利用射频磁控反应溅射制备了Ti1-xCoxO2薄膜样品.超导量子干涉仪(SQUID)测量了样品在常温,低温下的磁特性.结果显示样品在常温下已经具有明显的铁磁性.常温时其矫顽力32×103A/m,饱和磁化强度55emu/cm3磁性元素的磁矩达0679μB/Co.饱和场12×104A/m.x射线衍射(XRD)和x射线光电子能谱(XPS)实验分析初步表明样品中没有钴颗粒.

English Abstract

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