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太阳电池用本征微晶硅材料的制备及其结构研究

赵 颖 高艳涛 朱 锋 魏长春 孙 建 耿新华 张晓丹 熊绍珍

太阳电池用本征微晶硅材料的制备及其结构研究

赵 颖, 高艳涛, 朱 锋, 魏长春, 孙 建, 耿新华, 张晓丹, 熊绍珍
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-01-06
  • 修回日期:  2005-03-24
  • 刊出日期:  2005-10-20

太阳电池用本征微晶硅材料的制备及其结构研究

  • 1. (1)(南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津 300071);(南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071);(光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学),天津 300071); (2)南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津 300071;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学),天津 300071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划项目 (批准号:G2000028202和G2000028203)、国际科技合作项目(批准号:2002DFG00051)、国家高技术研究发展计划 (批准号:2002AA303261) 和天津市科技攻关项目(批准号:043186511)资助的课题.

摘要: 采用VHF-PECVD技术制备了系列不同硅烷浓度和反应气压的微晶硅薄膜.运用拉曼散射光谱和 x射线衍射对制备的材料进行了结构分析.在实验研究的范围内,制备材料的晶化程度随硅烷 浓度的增加而降低.XRD的测试结果表明:制备的微晶硅材料均体现了(220)方向择优.应用在 电池的有源层中,制备出了效率达7.1%的单结微晶硅太阳电池,电池的结构是glass/ZnO/p( μc-Si:H)/i(μc-Si:H)/n(a-Si:H/Al),没有ZnO背反射电极,有源层的厚度仅为1.2μm.

English Abstract

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